电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SD1899-ZK(TO-252-2L)

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小528KB,共3页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

下载文档 详细参数 全文预览

2SD1899-ZK(TO-252-2L)概述

Transistor

2SD1899-ZK(TO-252-2L)规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
Base Number Matches1

2SD1899-ZK(TO-252-2L)文档预览

下载PDF文档
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-251/TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors
2SD1899-Z
TRANSISTOR (NPN)
TO-251
TO-252-2L
123
1.BASE
2.COLLECTOR
FEATURES
High h
FE
h
FE
=100 to 400
Low V
CE(sat)
V
CE(sat)
=0.25V
MAXIMUM RATINGS (T
A
=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
60
60
7
3
1
150
-55-150
Units
V
V
V
A
W
3.EMITTER
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
DC current gain
h
FE(2)
h
FE(3)
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Turn on Time
Switching Time
Storage Time
Fall Time
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
t
on
t
stg
t
f
V
CC
=10V,I
C
=1A,I
B1
=-I
B2
=-0.1A
Test
conditions
MIN
60
60
7
10
10
60
100
50
0.25
1.2
120
30
0.5
2.0
0.5
μs
V
V
MHz
pF
400
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
μA
μA
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CB
=60V,I
E
=0
V
EB
=7V,I
C
=0
V
CE
=2V,I
C
=200mA
V
CE
=2V,I
C
=600mA
V
CE
=2V,I
C
=2A
I
C
=1.5A,I
B
=150mA
I
C
=1.5A,I
B
=150mA
V
CE
=5V,I
C
=1.5A
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
CLASSIFICATION OF
Rank
Range
h
FE(2)
M
100-200
L
160-320
K
200-400
不是商家,处理2.4G全卡标准式读卡器
公司,以前曾经营过“校园一卡通”业务!就是门禁行业的一个典型业务!这个能赚钱的,后来因为老板(老董),觉得钱少,要转行业!(自已也不想想是不是技术,行业,管理的原因) 这一块就放松 ......
great2008ok 淘e淘
大家猜一下09大赛题目
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:22 编辑 元器件清单下来了 大侠们分析一下啊 ...
zhangshd1234 电子竞赛
根升余弦滤波器的设计
各位大侠:敝人在为设计“根升余弦滤波器”而抓耳挠腮!请问哪位高手可否指点一二。 另外,FIR,IIR滤波器,想必行内人士都知道,但要用verilog实现,可有人搞过?商讨一下!...
85337411 嵌入式系统
三极管选择
本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 13:31 编辑 我们在做光源跟踪器,但是光电三极管不知如何选择 ...
shiyan 模拟与混合信号
xilinx一个最简单的闪亮led,求大神指点错误
让led闪烁 module led(sys_clk, sys_rstn, led ); input sys_clk; input sys_rstn; ......
elvike FPGA/CPLD
[晒样片] 申请的TI设计套装样片
十一前在TI申请了TI设计套装的样片,没想到很快就收到了。因为想做一个针对可穿戴方面的设计,看到TI的BLE连接的光学心率监视器参考设计比较合适,就试着申请了一下。TI的效率是没话说,第二天 ......
dcexpert TI技术论坛
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved