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MR854

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小149KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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MR854概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

MR854规格参数

参数名称属性值
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH RELIABILITY
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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MR850 thru MR858
Reverse Voltage 50 to 800 Volts
Fast Recovery Rectifiers
Forward Current 3.0 Amperes
Features
Low forward voltage drop
High current capability
High reliability
High surge current capability
T
J
is 150
o
C (Max.) and T
STG
is 175
o
C (Max.) with PI glue
Mechanical Data
Case: Molded plastic DO-201AD
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202, Method 208
guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
High temperature soldering guaranteed:
250
o
C/10 seconds .375” (9.5mm) lead
lengths at 5 lbs., (2.3kg) tension
Weight: 0.042 ounce, 1.195 grams
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length at T
A
=55
o
C
Peak forward surge current, 8.3 ms single
half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage @ 3.0A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
o
C
@T
A
=100
o
C
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
T
J
T
STG
100
65
-55 to +125
-55 to +150
1.25
10.0
200
150
MR850
50
35
50
MR851
100
70
100
MR852
200
140
200
3.0
MR854
400
280
400
MR856
600
420
600
MR858
800
560
800
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
150.0
1.3
Amps
Volts
uA
nS
pF
o
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Notes:
C
C
o
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.
143
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