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BAS16TW_S1_00001

产品描述Rectifier Diode, 3 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小70KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAS16TW_S1_00001概述

Rectifier Diode, 3 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6

BAS16TW_S1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.715 V
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量3
端子数量6
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.2 W
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流2.5 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
反向测试电压75 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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BAS16TW/BAW56DW/BAV70DW/BAV99S
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Fast switching speed.
• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion
• High Conductance
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.030(0.75)
0.021(0.55)
100 Volts
POWER
200mWatts
0.087(2.20)
0.074(1.90)
0.010(0.25)
0.018(0.45)
0.006(0.15)
0.010(0.25)
0.003(0.08)
0.040(1.00)
0.031(0.80)
0.044(1.10)
MAX.
0.056(1.40)
0.047(1.20)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-363, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
0.012(0.30)
0.005(0.15)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified. For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMETER
Marking Code
Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Rectified Current (Average),Half Wave Rectification With
Resistive Load and f>50Hz
Peak Forward Surge Current, 1.0s
Power Dissipation Derate Above 25
O
C
SYMBOL
-
V
R
V
RM
I
O
I
FSM
P
TOT
BAS16TW
16T
BAW56DW
JC
75
100
150
4.0
200
0.715@I
F
=0.001A
0.855@I
F
=0.01A
1.0@I
F
=0.05A
1.25@I
F
=0.15A
0.03
2.5
1.5
4.0
625
-55 to +150
Fig.48
Fig.51
Fig.52
Fig.32
O
BAV70DW
JA
0.004(0.10)
0.000(0.00)
• Weight: approximately 0.006gram
BAV99S
JB
0.087(2.20)
0.078(2.00)
UNITS
-
V
V
mA
A
mW
Maximum Forward Voltage
Maximum DC Reverse Current at 25V
75V
Maximum Junction Capacitance (Note 1)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Thermal Resistance
Operating Junction and Storage Temperature Range
Circuit Figure
V
F
V
I
R
C
J
T
RR
R
JA
T
J,
T
STG
A
pF
ns
C/W
O
C
NOTE : 1. Reverse Bias Voltage = 0. f=1MHz
2. I
F
=10mA to I
R
=1mA. V
R
=6V. Load=100
February 7,2013-REV.02
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