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2SB1116K

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小296KB,共1页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/
标准

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

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2SB1116K概述

Transistor

2SB1116K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)200
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.75 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)70 MHz
Base Number Matches1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
2SB1116/1116A
TRANSISTOR (PNP)
TO-92
FEATURES
·
High Collector Power Dissipation
.
·
Complementary to 2SD1616/2SD1616A
MAXIMUM RATINGS (T
a
=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
2SB1116
2SB1116A
Collector-Emitter Voltage 2SB1116
2SB1116A
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Value
-60
-80
-50
-60
-6
-1
0.75
150
-55-150
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE
f
T
C
ob
t
on
t
s
t
f
Test
Unit
V
V
V
A
W
conditions
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25℃ unless otherwise specified)
Min
2SB1116
2SB1116A
2SB1116
2SB1116A
-60
-80
-50
-60
-6
2SB1116
2SB1116A
135
81
-0.3
-1.2
-0.6
70
25
0.07
0.7
0.07
-0.7
V
V
V
MHz
pF
us
us
us
-0.1
-0.1
600
Typ
Max
Unit
V
V
V
μA
μA
I
C
=-
100
μA,I
E
=0
I
C
=-
1
mA,I
B
=0
I
E
=
-100
μA,I
C
=0
V
CB
=
-60
V,I
E
=0
V
CB
=
-80
V,I
E
=0
V
EB
=
-6
V,I
C
=0
V
CE
=-
2
V,I
C
=
-0.1
A
V
CE
=-
2
V,I
C
=
-1
A
I
C
=
-1
A,I
B
=
-50
mA
I
C
=
-1
A,I
B
=
-50
mA
V
CE
=
-2
V,I
C
=
-0.05
A
V
CE
=
-2
V,I
C
=
-0.1
A
V
CB
=
-10
V,I
E
=0,f=
1
MHz
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base -emitter saturation voltage
Base -emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
V
CC
=-10V,I
C
=-0.1A,I
B1
=-I
B2
=-0.01A,
V
BE(Off)
=2to3V
CLASSIFICATION OF
Rank
Range
h
FE(1)
L
135-270
K
200-400
U
300-600
A,May,2011
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