Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SB892S

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2SB892S: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小117KB，共2页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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2SB892S概述

Transistor

2SB892S规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
最大集电极电流 (IC)	2 A
配置	Single
最小直流电流增益 (hFE)	140
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	1 W
表面贴装	NO
标称过渡频率 (fT)	150 MHz
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

TO-92L

1. EMITTER

2SB892

TRANSISTOR (PNP)

FEATURE

Power supplies, relay drivers, lamp drivers,

and automotive wiring

Low saturation voltage.

Large current capacity and wide ASO.

2. COLLECTOR

3. BASE

123

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Parameter

Value

-60

-50

-6

-2

0.75

150

-55-150

Units

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Symbol

V(BR)

CBO

V(BR)

CEO

V(BR)

EBO

CBO

EBO

FE(1)

FE(2)

CE(sat)

BE(sat)

unless

Test

otherwise

conditions

specified)

MIN

-60

-50

-6

-0.1

100

-0.4

-1.2

150

MHz

560

MAX

UNIT

μA

= -100μA , I

= -1mA , I

=- 100μA, I

= -50V ,

= -4V ,

=-2V,

= -100mA

= -1.5A

= -1A, I

= -50mA

= -1A, I

= -50mA

= -10 V, I

= -50mA

CLASSIFICATION OF h

FE(1)

Rank

Range

100-200

140-280

200-400

280-560

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全球内存厂商台北聚首，探讨市场趋势

集邦科技(DRAMeXchange)于今年台北国际电脑展(ComputexTaipei2009)举办研讨会，与来自二十多个国家的内存领导厂商及众多相关业界人士，分别就全球DRAM、NANDFlash产业以深入探讨。集邦内存研究部副总杨雅欣(JoyceYang)表示，受到2009下半年PCOEM厂商减少库存量，DRAM厂提高产能利用率的影响，市场会有价格方面的压力。预估2...[详细]
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