电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SA812M5

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小294KB,共1页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

下载文档 详细参数 全文预览

2SA812M5概述

Transistor

2SA812M5规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)135
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)180 MHz
Base Number Matches1

2SA812M5文档预览

下载PDF文档
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
2SA812
SOT-23
Unit : mm
TRANSISTOR (PNP)
1. BASE
FEATURES
Complementary to 2SC1623
High DC Current Gain: h
FE
=200 TYP.(V
CE
=-6V,I
C
=-1mA)
High Voltage: V
ceo
=-50V
2. EMITTER
3. COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (T
a
=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
stg
Parameter
Collector- Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
-60
-50
-5
-100
200
150
-55-150
Unit
V
V
V
mA
mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE
Test conditions
I
C
=-100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -1mA, I
B
=0
I
E
= -100
μ
A, I
C
=0
V
CB
=- 60 V, I
E
=0
V
EB
= -5V, I
C
=0
V
CE
=- 6V, I
C
= -1mA
I
C
=-100mA, I
B
= -10mA
I
C
=-1mA, V
CE
=-6V
V
CE
=-6V,
I
C
= -10mA
-0.58
180
4.5
90
Min
-60
-50
-5
-0.1
-0.1
600
-0.3
-0.68
V
V
MHz
pF
Typ
Max
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
f
T
C
ob
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
CLASSIFICATION OF h
FE
Rank
Range
Marking
M4
90-180
M4
M5
135-270
M5
M6
200-400
M6
M7
300-600
M7
A,May,2011
模电设计运放典型应用电路及分析图例
模电设计运放典型应用电路及分析图例 .119114 119115 119116...
qwqwqw2088 模拟与混合信号
用C#如何实现USB通讯
请问 USB编程原理与普通的串口通信原理一样吗?我之前用串口的短信猫编了一个短消息收发系统,现在换成USB接口的短信猫后,先前的系统就不能用了,我想改一下,可是不知道怎么改 哪位 ......
d123123 嵌入式系统
求助,pic单片机为什么时而工作正常,时而不正常
最近我在用PIC单片机简单的控制下1602。 1.芯片是16f877a,配置字是__CONFIG(0x1832); //芯片配置字 2.外部复位电路,加的一按键配合在MCLR端的4.7k的上拉,还配合一0.1uf的电容,和平常的复位 ......
zhengzhoutie Microchip MCU
如何将七段显示器上显示的数字写入SBUF?
这个利用ADC0809采集RW2上输出的电压,在七段显示器上显示;现在我要将显示的数据写入SBUF发送到PC机上,试了好多次都不行,请大虾们帮我如何往这个程序里加东西?才能实现显示结果发到PC机上? ......
hjklhu 嵌入式系统
关于电容的一点疑问
交流电压加在一个电容上,电容应该有个充放电过程,两端电压应该不会突变,这也是旁路电容的原理吧,但是在multisim中仿真时电容两端电压依旧是交流电压,到底此时电容两端电压是怎么样的?我比 ......
melpomene 模拟电子
最形象的对三极管放大作用的理解
对于三极管放大作用的理解,可以用生活中一个很常见的实物来类比,我们以NPN型三极管为例来说明,PNP型三极管类似。只是方向相反而已,结论都适用。 345460 三极管就如同日常使用的水龙头,三 ......
tiankai001 模拟电子
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved