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MB34_R1_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小78KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MB34_R1_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN

MB34_R1_10001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SMC, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向电流50 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL

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MB34~MB320
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
CURRENT
40 to 200 Volts
3 Amperes
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications in order to optimize board space
• Metal to silicon rectifier. majority carrier conduction
• Low power loss,high efficiency
• High surge capacity
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling,
and polarity protection applications
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.128(3.25)
0.108(2.75)
0.245(6.22)
0.220(5.59)
0.280(7.11)
0.260(6.60)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.103(2.62)
0.079(2.00)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AB molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0082 ounce, 0.2325 gram
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.320(8.13)
0.305(7.75)
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.
PA RA ME TE R
Maxi mum Recurrent P eak Reverse Voltage
Maxi mum RMS Voltage
Maxi mum D C B locki ng Voltage
Maxi mum A verage Forward C urrent (S ee fi gure 1)
P eak Forward S urge C urrent :8.3ms si ngle half si ne-wave
superi mposed on rated load(JE D E C method)
Maxi mum Forward Voltage at 3.0A ( Note 1)
Maxi mum D C Reverse C urrent T
J
=25
O
C
at Rated D C B locki ng Voltage T
J
=100
O
C
Typi cal Thermal Resi stance ( Note 2)
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e
R a ng e
S YMB OL
V
R R M
V
R M S
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J L
R
θ
J A
T
J
, T
S T G
MB 34
MB 34A
MB 35
MB 36
MB 38
MB 39
MB 310
MB 315
MB 320
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
3.0
100
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0.70
0.74
0.05
20
20
75
0.80
0.90
V
mA
O
C/W
O
-55 to +150
-65 to +175
C
NOTES:
1. Pulse Test with PW =300µsec, 1% Duty Cycle.
2. Mounted on P.C. Board with 8.0mm
2
(.013mm thick) copper pad areas.
October 2,2012-REV.05
PAGE . 1
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