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MB210F_R2_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, GREEN, ULTRA THIN, PLASTIC, SMBF, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小231KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MB210F_R2_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, GREEN, ULTRA THIN, PLASTIC, SMBF, 2 PIN

MB210F_R2_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明GREEN, ULTRA THIN, PLASTIC, SMBF, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流50 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL

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MB28F SERIES
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Ultra thin profile package for space constrained utilization
• Package suitable for automated handling
• Metal to silicon rectifier. majority carrier conduction
• Low power loss,high efficiency
• High surge capacity
• Lead free in comply with EU RoHS
2011/65/EU
directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.178(4.50)
0.161(4.10)
0.146(3.70)
0.137(3.50)
0.083(2.10)
0.074(1.90)
80-200 Volts
CURRENT
2 Amperes
0.217(5.50)
0.200(5.10)
MECHANICAL DATA
• Case: plastic molded
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Approx. Weight: 0.0018 ounces, 0.05 grams
• Polarity : Color band denotes cathode end
0.048(1.20)
0.031(0.80)
0.048(1.20)
0.031(0.80)
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PAR AME T E R
Re current P ea k Revers e Volta ge
RMS Vo lta ge
D C Bloc k i ng Vo ltag e
A verag e F orward C urre nt
P e ak F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3ms s i ngle ha lf s i ne-wa ve
s upe ri mp os e d o n rated load (JE D EC me tho d)
F orward Volta ge at 2.0 A
D C Re vers e C urre nt at Ra ted
D C Bloc k i ng Vo ltag e
Typi c a l J unc ti on ca pa ci ta nce
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV )
I
F S M
V
F
0.8
MB 2 8F
80
56
80
M B 2 9F M B 21 0F MB 215 F MB 2 20 F
90
63
90
10 0
70
10 0
2
50
0 .9
1 50
1 05
1 50
2 00
14 0
2 00
U N IT S
V
V
V
A
A
V
T
J
=2 5
O
C
I
R
50
0.010(0.25)
0.006(0.15)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
A
V
R
=4 V,1MH
Z
C
J
R
JL
R
J
A
T
J
,T
STG
90
30
1 35
-5 5 to + 15 0
70
50
O
pF
C / W
O
Typi c a l The rm al Re s i sta nce ,J unc ti on to L ea d (Note 1 )
Juncti o n to Am bi e nt (No te 2 )
Ope ra ti ng J unc ti o n Temp erature and Sto rage Te mpe rature Rang e
C
NOTES :
1.Mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, with 100cm
2
copper pad area.
2.Mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, mini pad.
October 11,2012-REV.01
PAGE . 1
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