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MBR8100FCT_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小93KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR8100FCT_T0_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

MBR8100FCT_T0_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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MBR840FCT~MBR8200FCT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltge, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
40 to 200 Volt
CURRENT
8 Ampere
MECHANICAL DATA
• Case: ITO-220AB molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Weight: 0.056 ounces, 1.6 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.
PARAMETER
M aximum Recur r ent Peak Rever s e Volt age
Maximum RM S Volt age
Maximum DC Block ing Volt age
Maximum Aver age For w ar d ( See Figur e 1)
Peak For w ar d Sur ge Cur r ent : 8. 3ms s ingle half s ine- w ave
super imposed on r ated load
Maximum For w ar d Volt age at 4A
Maximum DC Rever s e Cur r ent at Rat ed DC Blocking
Volt age
Ty pical Ther mal Resist ance
O per at ing J unc t ion and St or age Temper at ur e Range
T
J
= 25
O
C
T
J
= 100
O
C
SY MBO L
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
R
θJC
T
J
,T
STG
MBR8 40FCT MBR8 45FCT MBR8 50FCT MBR8 60FCT MBR8 80FCT MBR8 90FCT M BR810 0FCT M BR815 0FCT MBR8 200FCT
UNI TS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
8
150
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0. 7
0. 75
0. 05
20
3
0. 8
0. 9
V
mA
O
C/ W
O
-55 t o + 150
- 65 t o +175
C
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.
October 14,2016-REV.03
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