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SB820F_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 20V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小59KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB820F_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 20V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN

SB820F_10001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ITO-220AC, 3/2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压20 V
最大反向电流200 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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SB820F SERIES
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
0.112(2.85)
0.100(2.55)
20 to 60 Volts
CURRENT
8 Amperes
0.272(6.9)
0.248(6.3)
0.406(10.3)
0.381(9.7)
0.134(3.4)
0.118(3.0)
0.189(4.8)
0.165(4.2)
0.130(3.3)
0.114(2.9)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
0.063(1.6)MAX.
0.606(15.4)
0.583(14.8)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.028(0.7)
0.019(0.5)
0.100(2.55)
0.177(4.5)
0.137(3.5)
0.543(13.8)
0.512(13.0)
0.114(2.9)
0.098(2.5)
MECHANICAL DATA
• Case: ITO-220AC full molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
0.100(2.55)
0.027(0.67)
0.022(0.57)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
Ma xi m um Re c urre nt P e a k Re ve r s e Vo lt a g e
Ma xi m um RM S Vo lt a g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi m um A ve ra g e F o r wa rd C urr e nt a t T
C
= 7 5
O
C
P e a k F o r wa rd S urg e C urr e nt : 8 . 3 m s s i ng le
ha lf s i ne -wa ve s up e ri m p o s e d o n ra t e d lo a d
(J E D E C me t ho d )
Ma xi m um F o rwa r d Vo lt a g e a t 8 A
Ma xi m um D C Re ve rs e C urr e nt
a t Ra te d D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l The rm a l Re s i s t a nc e
Op e r a ti ng J unc ti o n Te m p e ra t ure Ra ng e
S to r a g e Te mp e r a tur e Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
J
C
T
J
T
S TG
SB820F SB830F SB840F SB845F SB850F SB860F
20
14
20
30
21
30
40
28
40
8
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
UNITS
V
V
V
A
150
A
0 .5 5
0 .2
50
3
-5 5 to + 1 2 5
-5 5 to +1 5 0
-5 5 to + 1 5 0
0 .7 5
V
mA
O
C / W
O
C
C
O
NOTE:
Both Bonding and Chip structure are available.
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