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SB820FCT_T0_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 20V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小112KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB820FCT_T0_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 20V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

SB820FCT_T0_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压20 V
最大反向电流200 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SB820FCT_T0_10001文档预览

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SB820FCT SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
0.112(2.85)
0.100(2.55)
0.134(3.4)
0.118(3.0)
0.272(6.9)
0.248(6.3)
20 to 60 Volt
CURRENT
8 Ampere
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
0.406(10.3)
0.381(9.7)
0.189(4.8)
0.165(4.2)
0.130(3.3)
0.114(2.9)
0.606(15.4)
0.583(14.8)
MECHANICAL DATA
• Case: ITO-220AB full molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Weight: 0.056 ounces, 1.6 grams.
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.028(0.7)
0.019(0.5)
0.100(2.55)
0.177(4.5)
0.137(3.5)
0.543(13.8)
0.512(13.0)
0.114(2.9)
0.098(2.5)
0.100(2.55)
0.027(0.67)
0.022(0.57)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PARAM ETER
M a ximum Re c ur r e nt Pe ak Re ve r s e Vo lt a g e
M a ximum RM S Vo lt a g e
M a ximum DC Blo c k ing Vo l t a g e
M a ximum Ave r ag e Fo r w a r d Cur r e nt a t T
C
= 75
O
C
Pe a k Fo r w a r d Sur g e Cur r ent : 8 . 3 ms s ing l e ha lf s i ne - w a ve
s up e r imp o s e d o n r a t e d lo a d
M a ximum Fo r w a r d Vol t a g e a t 4A
M a ximum DC Re ver s e Cur r e nt a t Ra t e d DC
Blo c k ing Vo lt a g e
Typ ic a l The r ma l R e s i s t a nc e
O p er a t i ng J unc t io n Te mp e r at ur e Ra ng e
St o r a g e Te mp e r a t ur e Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
SY M BO L
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F( AV)
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JC
T
J
T
ST G
SB8 20 FCT SB83 0FCT SB8 40FCT SB8 45FCT SB85 0FCT SB86 0FCT
UNI TS
20
14
20
30
21
30
40
28
40
8
150
0.55
45
31
45
50
35
50
0.128(3.25)
MIN.
60
42
60
V
V
V
A
A
0.75
0. 1
50
3
O
V
0.2
50
mA
C / W
O
-55 t o +125
-55 t o +150
-55 to +150
C
C
O
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.
April 23,2015-REV.05
PAGE . 1
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