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MMBFJ270T/R7

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小193KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBFJ270T/R7概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

MMBFJ270T/R7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
FET 技术JUNCTION
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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MMBFJ270
P-CHANNEL SWITCH
FEATURES
• This device is designed for low level analog switching sample and
hold circuits and chopper stabilized amplifiers
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-23, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.008gram
Marking : 270
3
G
D
1
S
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T
J
=25
o
C
PARAMETER
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Forward Gate Current
Operating and Storage Junction Temperature Range
SYMBOL
V
DG
V
GS
I
GF
T
J,
T
STG
VALUE
-30
30
50
-55 to +150
UNITS
V
V
mA
o
C
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Total Device Dissipaton Derate above 25
o
C
Thermal Resistance, Junciton to Ambient (Note 1)
Note 1 : Device mounted on FR-4 PCB, 70 x 60 x 1mm.
SYMBOL
P
D
R
JA
VALUE
225
1.8
556
UNITS
mW
mW/
o
C
o
C/W
PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE
REV.0.3-SEP.18.2009
PAGE . 1
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