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MBR30100PT

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小78KB,共3页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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MBR30100PT概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN

MBR30100PT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码TO-3P
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
MBR30100PT
REVERSE VOLTAGE
- 100
Volts
FORWARD CURRENT
- 30
Amperes
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
FEATURES
Metal of silicon rectifier,majority carrier conducton
Guard ring for transient protection
Low power loss, high efficiency
Low leakage current
High current capability, low VF
High surge capacity
Plastic package has UL flammability classification
94V-0
H
I
A
P
G
Q
O
PIN
1
2
3
TO-3P
F
E
DIM.
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
TO-3P
MIN.
MAX.
15.75
16.25
21.25
21.75
20.10
19.60
3.78
4.38
1.88
2.08
4.87
5.13
4.4TYP.
1.90
2.16
2.93
3.22
1.12
1.22
2.90
3.20
5.20
5.70
2.10
2.40
0.76
0.51
2.18
1.93
B
K
D
C
N
MECHANICAL DATA
Case : TO-3P molded plastic
Polarity : As marked on the body
Weight : 0.2 ounces, 5.6 grams
Mounting position : Any
Max. mounting torque = 0.5 N.m (5.1 Kgf.cm)
J
L
PIN 1
PIN 3
L
M
PIN 2
CASE
20 TYP
10 TYP
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current (See Fig.1)
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Voltage Rate of Change (Rated VR)
Maximum Forward
Voltage (Note 1)
SYMBOL
MBR30100PT
100
70
100
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
T
C
=125 C
30
250
10000
0.80
0.67
0.93
0.80
100
5
1.4
300
-65 to +175
-65 to +175
I
FSM
dv/dt
T
J
=25 C
T
J
=125 C
T
J
=25 C
T
J
=125 C
@T
J
=25 C
@T
J
=125 C
A
V/us
I
F
=15A @
I
F
=15A @
I
F
=30A @
I
F
=30A @
V
F
V
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
I
R
R
0JC
uA
mA
C/W
pF
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Typical Junction Capacitance
per element (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
C
J
T
J
T
STG
C
C
REV. 2, Oct-2010, KTHD18
NOTES : 1. 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
2. Thermal Resistance Junction to Case.
3. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
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