电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SBM860VSS_R2_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小103KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

SBM860VSS_R2_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

SBM860VSS_R2_10001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流220 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SBM860VSS_R2_10001文档预览

下载PDF文档
SBM860VSS
ULTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• High efficiency operation
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
1.0(25.4)MIN.
60 Volt
CURRENT
8 Ampere
0.052(1.3)
0.048(1.2)
• Ultra low forward voltage drop, low power losses
Case : Molded plastic, DO-201AD
Terminals : Axial leads,solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx weight : 0.0402 ounces, 1.142 grams
Polarity : Color band denotes cathode end
0.375(9.5)
0.285(7.2)
MECHANICAL DATA
1
Cathode
2
Anode
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
(Note 1)
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
R
JA
R
JL
T
J
T
STG
VALUE
60
42
60
8
150
40
23
-55 to + 150
-55 to + 150
O
1.0(25.4)MIN.
0.210(5.3)
0.188(4.8)
UNIT
V
V
V
A
A
C /W
o
C
C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Breakdown voltage
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITIONS
I
R
=0.5mA
I
F
=1A
I
F
=5A
I
F
=8A
I
F
=1A
I
F
=5A
V
R
=48V
Reverse current
I
R
V
R
=60V
T
J
=25
o
C
T
J
=125
o
C
T
J
=25 C
o
MIN.
60
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
0.31
0.42
0.49
0.22
0.39
38
-
12
MAX.
-
-
-
0.55
-
-
-
220
-
UNIT
V
V
V
A
A
mA
Instantaneous forward voltage
V
F
T
J
=125
o
C
Note : 1.The te sting condition of the thermal resista nce (junction to a mbient a nd junction to lea d) is ba sed on
0.375”(9.5mm) lead length between two 10x10cm copper pad heatsinks.
December 19,2013-REV.00
PAGE . 1
fpga经验谈(西安大唐电信)
很有用的资料,与大家共享....
histeryj FPGA/CPLD
心电图(ECG)信号链的模拟基础
本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:43 编辑 TI的工程师写的,讲的很详细,我也在学习中,共同进步~ ...
冰空影 模拟与混合信号
利用LM3S8962的网络接口实现远程数据采集、保存
希望能申请成功,谢谢!...
yuchenglin 微控制器 MCU
关于uCOSII下1602液晶显示的问题 请教
使用自制avr最小系统 驱动显示1602没有问题 移植uCOS也没问题 但在uCOSII中开个任务进行1602显示时,会由于任务的来回调度而出现屏幕的闪烁,大家有什么好办法解决啊?...
zjh9678 实时操作系统RTOS
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved