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SMBJ6.5C

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小99KB,共4页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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SMBJ6.5C概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

SMBJ6.5C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明R-PDSO-J2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN, UL RECOGNIZED
最大击穿电压8.82 V
最小击穿电压7.22 V
击穿电压标称值8.02 V
最大钳位电压12.3 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-J2
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压6.5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式J BEND
端子位置DUAL

 
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