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DR202G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 200V V(RRM)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小46KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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DR202G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 200V V(RRM)

DR202G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流2 A
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO

DR202G文档预览

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DR200G THRU DR210G
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
Reverse Voltage -
50 to 1000 Volts
Forward Current -
2.0 Amperes
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0 utilizing
Flame retardant epoxy molding compound
2.0 ampere operation at T
A
=55 with no
thermal runaway
Glass passivated junction in DO-15 package
Mechanical Data
Case:
Molded plastic, DO-15
Terminals:
Axial leads, solderable per
MIL-STD-202, method 208
Polarity:
Color band denotes cathode
Mounting Position:
Any
Weight:
0.014 ounce, 0.395 gram
DIM ENSIONS
DIM
A
B
C
D
inches
Min.
0.228
0.102
0.028
1.000
Max.
0.299
0.142
0.034
-
Min.
5.8
2.6
0.71
25.40
mm
Max.
7.6
3.6
0.86
-
Note
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Symbols
DR
200G
DR
201G
DR
202G
DR
204G
DR
206G
DR
208G
DR
210G
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length at T
A
=55
Peak forward surge current
8.3mS single half sine-wave superimposed
on rated load (MIL-STD-750D 4066 method)
Maximum forward voltage at 2.0A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
Typical junction capacitance (Note 1)
Typical thermal resistance (Note 2)
Operating and storage temperature range
T
J
=25
T
J
=100
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
JA
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2.0
70.0
1.1
5.0
300.0
40.0
25.0
-55 to +150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Volts
A
F
/W
T
J
, T
STG
Notes:
(1) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC
(2) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375” (9.5mm) lead length P.C.B. mounted
1
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