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MBR1645FCT_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小93KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR1645FCT_T0_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

MBR1645FCT_T0_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压45 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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MBR1640FCT~MBR16200FCT
ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
40 to 200 Volt
CURRENT
16 Ampere
MECHANICAL DATA
• Case: ITO-220AB full molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Weight: 0.056 ounces, 1.6 grams.
MAXIMUM RATINGS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PARAMETER
Maximum Recur rent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Volt age
Maximum Aver age Forw ar d (See Figur e 1)
Peak Forward Sur ge Cur rent : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage at 8A per leg
Maximum DC Rever se Cur rent at Rat ed DC Blocking
Volt ag
Typical Thermal Resist ance
Operating Junct ion and St or age Temper at ur e Range
T
J
=25
O
C
T
J
=100
O
C
SYMBOL
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
R
θJ
C
T
J
, T
STG
M BR1640FCT
MBR1645FCT
MBR1650FCT
MBR1660FCT
M BR1680FCT
MBR1690FCT
MBR16100FCT
MBR16150FCT
MBR16200FCT
UNI TS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
16
150
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0.7
0.75
0. 05
20
2
0. 8
0. 9
V
mA
O
C/W
O
-55 to +150
-65 to +175
C
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.
October 14,2016-REV.04
PAGE . 1
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