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SS18AF4

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 80V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小234KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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SS18AF4概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 80V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

SS18AF4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明SMA, 2 PIN
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压80 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SS18AF4文档预览

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SS12A THRU SS120A 
 
RoHS
COMPLIANT
Surface Mount Schottky Rectifier
Features
Low profile package
Ideal for automated placement
Guardring for overvoltage protection
Low power losses, high efficiency
High forward surge capability
Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °C
Typical Applications
For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling,
DC/DC converters, and polarity protection applications.
Mechanical Data
Package:
DO-214AC (SMA) 
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant, halogen-free
Terminals:
Tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
Cathode line denotes the cathode end
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
SYMBOL
UNIT
SS
12A
13A
14A
15A
16A
SS
12A
V
RRM
I
O
I
FSM
Tstg
Tj
V
A
A
-55~+125
20
13A
30
14A
40
15A
50
16A
60
1.0
30
-55 ~+150
-55 ~+150
18A
80
110A
100
115A
150
120A
200
18A
110A
115A
120A
Device marking code
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified output current
@60Hz sine wave, resistance load,
Ta (FIG.1)
Surge(non-repetitive)forward current
@60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃
Storage temperature
Junction temperature
■Electrical
Characteristics
(T
a=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage drop per diode
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
per diode@ V
RM
=V
RRM
SYMBOL
V
F
UNIT
V
TEST
CONDITIONS
I
FM
=1.0A
Ta=25℃
I
RRM
mA
Ta=100℃
10
5.0
SS
12A
13A
0.50
0.50
14A
15A
16A
0.70
18A
110A
115A
120A
0.85
0.10
0.90
Thermal Characteristics
(T
a=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
R
θJ-A
Thermal resistance
R
θJ-L
℃/W
20
1)
UNIT
SS
12A
13A
14A
15A
16A
65
1)
18A
110A
115A
120A
Note
(1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad areas
1/4
S-S118
Rev. 2.4, 09-Apr-19
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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