Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> KTD1146GR

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KTD1146GR: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小112KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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KTD1146GR概述

Transistor

KTD1146GR规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	长电科技(JCET)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TO – 92

KTD1146

TRANSISTOR (NPN)

1.EMITTER

FEATURES

Low V

CE(sat)

High Performance at Low Supply Voltage.

2.COLLECTOR

3.BASE

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

θJA

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

0.625

200

150

-55~+150

Unit

℃/W

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Transition Frequency

*Pulse test: pulse width

≤300μs,

duty cycle≤ 2.0%.

Symbol

(BR)CBO

(BR) CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

= 0.1mA ,I

=1mA,I

=0.01mA,I

=20V,I

=7V,I

=2V, I

=500mA

=3A,I

=60mA

=6V,I

=50mA

0.1

120

700

0.4

μA

MHz

CE(sat)

CLASSIFICATION OF h

RANK

RANGE

120-240

200-400

350-700

A,Dec,2010

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2009年Q1排名前20位的半导体供应商出炉

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措施得当，中国半导体市场09年微幅下滑6.8%

　　据iSuppli公司研究，2009年中国半导体市场为682亿美元，较去年下滑6。8%。相对于全球半导体市场的萎缩，中国市场的下滑要小的多。受经济危机影响，全球电子产品的产值为1。4万亿美元较2008年下降了9%。与此同时，全球半导体市场2009年将下降16。2%到2295亿美元。但是在出口增长和内需拉动的双重作用下，中国半导体市场在2010年成长17。8%。全球半导体市场2010年也将增长1...[详细]
后危机时代中国半导体设备行业的机遇与挑战

2008年，中国市场上半导体产品总销售额达到7084.0亿，其中分立器件占15.7%，集成电路占84.3%。随着2008年9月雷曼兄弟申请破产而爆发的金融危机逐渐演变成为经济危机，全球电子产品的市场需求严重削弱，从而拖累作为全球电子产品制造中心的中国在半导体行业的持续增长。为了应对国际经济危机的负面影响，中国政府制定了电子信息产业振兴规划，其中扩大内需政策，如家电下乡和第三代移动通信技术的...[详细]
WitsView：面板出货高峰已过

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