电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MBR860F_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小89KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

MBR860F_T0_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 2 PIN

MBR860F_T0_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ITO-220AC, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.75 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

MBR860F_T0_00001文档预览

下载PDF文档
MBR840F~MBR8200F
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
40 to 200 Volt
CURRENT
8 Ampere
MECHANICAL DATA
• Case: ITO-220AC plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Weight: 0.055 ounces, 1.56 grams.
MAXIMUM RATINGS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PARAM ETER
M aximum Recur r ent Peak Rever se Vo lt ag e
M aximum RM S Volt age
M aximum DC Blo cking Volt a ge
M aximum Aver ag e For w ar d
Pea k For w a r d Sur ge Cur r ent : 8. 3ms single half sine- w ave
sup er imposed on r at ed load
M aximum For w ar d Vo lt ag e a t 8A
M aximum DC Rever se Cur re nt at Ra t e d DC Blocking T
J
= 25
O
C
Volt age
T
J
= 100
O
C
Typical Ther mal Resist ance
O pe r at ing Junct io n and St or age Temper a t ur e Range
SY M BO L
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
R
θJC
T
J
, T
STG
M BR840F
M BR8 45F M BR850F M BR860F M BR880 F M BR8 90F M BR810 0F M BR815 0F M BR820 0F
UNI TS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
8
150
90
63
90
1 00
70
1 00
150
105
150
2 00
140
2 00
0. 7
0. 75
0. 05
20
3
0. 8
0.9
V
mA
O
C / W
O
- 55 t o + 150
- 65 t o + 175
C
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.
October 7,2016-REV.03
PAGE . 1
各种场效应管参数大全
各种场效应管参数大全 262685 ...
yjtyjt 综合技术交流
器件到手了,开始焊接了
图正在上传,先说一下 焊接 的事情。 器件昨天就到了,早上开始对照检查了一遍板子,没问题,然后开始焊。 基本没啥问题,只是发现 贴片的IC很难焊。 这是我第一次焊贴片IC,特别是MAXIM的这 ......
辛昕 DIY/开源硬件专区
USB芯片DATASHEET及参考方案(一)
USB芯片DATASHEET及参考方案(一)...
songbo Microchip MCU
【新思科技IP资源】CDC验证:数十亿门级ASIC设计的最大挑战之一
在多个第三方IP核、外部接口和低功耗设计驱动下,数十亿门级的专用集成电路(ASIC)已具备几十甚至数百个异步时钟域,而要解决跨时钟域(CDC)问题,RTL仿真和静态时序分析(STA)都不是最理想 ......
arui1999 综合技术交流
M3/M4 Q/A汇总贴
本帖最后由 azhiking 于 2014-12-24 00:39 编辑 前些日子家里出了些事情,答应maylove的事情迟迟没有能完成,很抱歉,接下来的时间我会把本版中大家遇到的问题汇总在这个贴子中,当然都是得 ......
azhiking 微控制器 MCU
【一起玩MicroPython】之如何烧写系统
本帖最后由 michael_llh 于 2016-5-2 20:11 编辑 拿到板子后,我们直接使用我们的安卓数据线就可以完成使用了。 理论上是可以直接安装好驱动的,但是如果出现了安装不了的情况,在这里 ......
michael_llh MicroPython开源版块
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved