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MBRF30100CT

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小150KB,共3页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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MBRF30100CT概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN

MBRF30100CT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码TO-220AB
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MBRF30100CT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
FEATURES
REVERSE VOLTAGE – 100Volts
FORWARD CURRENT – 30 Amperes
ITO-220AB
Metal of silicon rectifier, majority carrier conduction
Low forward voltage drop
High efficiency
For use in low voltage, high frequency inverters, free
wheeling, and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
Case Material: Plastic material, UL flammability
classification 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Terminals: Lead Free Plating
Polarity indicator: As marked on the body
Weight: 0.06 ounces, 1.70 grams
Component in accordance to RoHs 2002/95/EC
ESD capability : HBM_8KV (JESD22-A114)
Maximum mounting torque = 0.5 N.m (5.1 Kgf.cm)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
PARAMETER
Device marking code
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current @δ=0.5 (FIG.1_per diode)
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave
Storage temperature range
Operating junction temperature range
SYMBOL
Note
V
RRM
I
F
I
FSM
T
STG
T
J
MBRF30100CT
MBRF30100CT
100
30
250
-55 to +175
-55 to +175
UNIT
---
V
A
A
°C
°C
PARAMETER
Breakdown voltage
TEST CONDITIONS
IR=0.1mA
IF=15A
Tj=25°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=25°C
Tj=125°C
SYMBOL
V
B
V
F
Min.
100
---
---
---
Typ.
---
0.75
0.62
---
0.001
0.5
Max.
---
0.80
0.67
0.93
0.1
10
UNIT
V
Forward Voltage (1)
IF=30A
Leakage Current
VR=100V
V
I
R
---
---
mA
THERMAL CHARACTERISTIC
Typical thermal resistance_Junction to Case (2)
Typical thermal resistance_Junction to Lead (2)
SYMBOL
R
Θ
JC
R
Θ
JL
Typical
3.5
3.5
UNIT
°C/W
°C/W
Note :
(1) 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
(2) Thermal Resistance test performed in accordance with JESD-51. R
Θ
JL
is measured at the PIN 2
,
R
Θ
JC
is measured at the top centre of body.
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