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BC859BW

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BC859BW概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

BC859BW规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

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BC856AW ~ BC859CW
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
VOLTAGE
FEATURES
0.087(2.20)
0.078(2.00)
30/45/65 Volts
CURRENT
200 mWatts
• PNP epitaxial silicon, planar design
• Collector current I
C
= 100mA
• Complimentary (NPN) Devices:BC846W/BC847W/BC848W/
BC849W Series
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.087(2.20)
0.070(1.80)
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.002(0.05)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-323, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0001 ounce, 0.005 gram
0.016(0.40)
0.008(0.20)
0.004(0.10)MAX.
0.044(1.10)
0.035(0.90)
Device Marking:
BC856AW=56A
BC856BW=56B
BC857AW=57A
BC857BW=57B
BC857CW=57C
BC858AW=58A
BC858BW=58B
BC858CW=58C
BC859BW=59B
BC859CW=59C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Collector - Emitter Voltage
BC856W
BC857W
BC858W, BC859W
BC856W
BC857W
BC858W, BC859W
BC856W
BC857W
BC858W, BC859W
Symbol
V
CEO
Value
-65
-45
-30
-80
-50
-30
6.0
6.0
-5.0
-100
200
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
0.004(0.10)MIN.
• General purpose amplifier applications
Collector - Base Voltage
V
CBO
V
Emitter - Base Voltage
Collector Current - Continuous
Max Power Dissipation (Note 1)
Storage Temperature Range
Junction Temperature Range
V
EBO
I
C
P
TOT
T
STG
T
J
V
mA
mW
O
C
C
O
December 17,2010-REV.00
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