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APTGT25H120T1G

产品描述Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT㈢ Power Module
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小277KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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APTGT25H120T1G概述

Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT㈢ Power Module

APTGT25H120T1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
针数12
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-T12
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量4
端子数量12
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)156 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)610 ns
标称接通时间 (ton)140 ns
VCEsat-Max2.1 V
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