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FR1M_R2_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小143KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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FR1M_R2_00001概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

FR1M_R2_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SMB, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL

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FR1A~FR1M
SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
VOLTAGE
50 to 1000 Volt
CURRENT
1 Ampere
FEATURES
For surface mounted applications in order to optimize board space
Easy pick and place
Fast Recovery times for high efficiency
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• Glass passivated junction
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0032 ounce, 0.092 gram
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PARAM E TER
M a ximum Re c ur r e nt Pe a k Re ve r s e Vo lt a g e
M a ximum RM S Vo lt a g e
M a ximum DC B loc king Vo lt age
M a ximum Ave r a g e Re c t i f ie d Cur r e nt
Pe a k F o r w a r d Sur g e Cur r e nt : 8 . 3 ms s ing le ha l f s ine - w a ve
s up e r imp o s e d o n r a t e d lo a d
M a ximum Fo r w a r d Vo lt a g e a t 1 A
M a ximum DC Re ve r s e Cur r e nt a t Ra t e d DC Blo c k i ng T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 2 5
O
C
Vo l t a g e
M a ximum Re ve r s e Re c o ve r y Time ( No t e 1 )
M a ximum Junc t ion Ca p a cit a nce ( Not e 2)
Typ i c a l J unct io n Re s is t a nc e ( No t e 3 )
O p e r a t ing J unct io n a nd St o r a g e Te mp e r a t ur e Ra t ing
SY M B O L
V
RR M
V
RM S
V
DC
I
O
I
FS M
V
F
I
R
T
RR
C
J
R
θ
JA
R
θ
J L
T
J
, T
S TG
F R1 A
50
35
50
F R1 B
100
70
100
F R1 D
200
140
200
FR1 G
400
280
400
1
30
1.3
1
150
FR1 J
600
420
600
FR1 K
800
560
800
FR1 M
1000
700
1000
UNI TS
V
V
V
A
A
V
μA
150
12
100
32
-50 to +150
250
500
ns
pF
O
C / W
O
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=-1A, I
rr
=-0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4 volts.
3. 8mm
2
(0.013mm thick) land areas.
December 23,2015-REV.05
PAGE . 1
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