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BC848AW

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小190KB,共4页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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BC848AW概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

BC848AW规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)110
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)255
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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BC848W
NPN General Purpose Transistor
FEATURES
Ideally suited for automatic insertion
For Switching and AF Amplifier Applications
MECHANICAL DATA
Case: SOT-323 Plastic
Case material: “Green” molding compound, UL
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. CI)
Lead Free in RoHS 2002/95/EC Compliant
Maximum Ratings
@ T
A
= 25℃
Characteristic
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Value
Unit
V
V
V
mA
mW
30
30
5
100
150
150
-55~+150
Electrical Characteristics
@
T
A
= 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector-base cut-off current
Test Condition
I
C
=10µA,I
E
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=1µA,I
C
=0
V
CB
=30V
V
CE
=5V,I
C
=10uA
DC current gain
V
CE
=5V,I
C
=2mA
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Noise figure
I
C
=10mA,I
B
=0.5mA
I
C
=100mA,I
B
=5mA
I
C
=10mA,I
B
=0.5mA
I
C
=100mA,I
B
=5mA
I
C
=2mA,V
CE
=5V
I
C
=10mA,V
CE
=5V
V
CE
=5V,I
C
=10mA,
f=100MHz
V
CB
=10V,f=1MHz
VCE=5V,Ic=0.2mA,
f=1KHz,RS=2K
Bandwidth=200Hz
BW
CW
AW
BW
CW
AW
BW
CW
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CBO
h
FE1
110
200
420
90
150
270
220
450
800
0.25
0.6
0.7
0.9
660
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
V
V
30
30
5
15
nA
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
BE
f
T
C
ob
NF
V
V
580
100
700
770
mV
MHz
4.5
10
4
pF
dB
REV. 2, Jun-2012, KSNR09
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