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KBU4D

产品描述Bridge Rectifier Diode, 4A, 200V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小172KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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KBU4D概述

Bridge Rectifier Diode, 4A, 200V V(RRM),

KBU4D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
Reach Compliance Codecompliant
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流4 A
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO

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KBU4,6,8/RS6 SERIES
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
Reverse Voltage -
50 to 1000 Volts
Forward Current -
4.0/6.0/8.0 Amperes
Features
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique
Plastic material has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Surge overload rating: 200 amperes peak
Mounting Position: Any
Mounting Torgue: 5 ln. Ib. max.
D IM E N S IO N S
D IM
A
B
C
D
E
F
G
H
H1
J
K
M
N
P
Q
in c h e s
M in .
-
1 .0
0 .8 9 5
0 .2 6 0
0 .1 6 5
0 .1 4 0
0 .0 6 5
0 .6 6 0
0 .4 0 5
0 .1 8 0
0 .1 8 0
0 .1 8 5
0 .0 4 8
M ax.
0 .7 6 0
-
0 .9 3 5
0 .2 8 0
0 .1 8 5
0 .1 6 0
0 .0 8 5
0 .7 0 0
0 .4 5 5
0 .2 6 0
0 .2 2 0
0 .2 0 5
0 .0 5 2
M in .
-
2 5 .4
2 2 .7
6 .6
4 .2
3 .6
1 .7
1 6 .8
1 0 .3
4 .5
4 .6
4 .7
1 .2
mm
M ax.
1 9 .3
-
2 3 .7
7 .1
4 .7
4 .1
2 .2
1 7 .8
11 .3
6 .6
5 .6
5 .2
1 .3
N o te
0 .0 7 5 ( 1 .9 ) R . T y p . ( 2 P la c e s )
45
O
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
For capacitive load, derate current by 20%.
Symbols
KBU4A
KBU6A
KBU8A
RS601
KBU4B
KBU6B
KBU8B
RS602
KBU4D
KBU6D
KBU8D
RS603
KBU4G
KBU6G
KBU8G
RS604
KBU4J
KBU6J
KBU8J
RS605
KBU4K
KBU6K
KBU8K
RS606
KBU4M
KBU6M
KBU8M
RS607
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS bridge input voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward
rectified output current at
T
C
=100
T
A
=65 /40
/45
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
J
, T
STG
50
35
50
100
70
100
4.0
4.0
200.0
200
140
200
400
280
400
6.0
6.0
250.0
600
420
600
800
560
800
8.0
6.0
300.0
1000
700
1000
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Peak forward surge current, 8.3mS single half sine-wave
superimposed on rated load
(MIL-STD-750 method 4066)
Maximum instantanous forward Voltage drop per
element at 3.0A/3.0A/8.0A
Maximum DC reverse leakage at rated
DC blocking voltage per element
Operating and storage temperature range
T
A
=25
T
C
=100
KBU4
1.0
10.0
100.0
KBU6
RS6
KBU8
1.0
10.0
200.0
-65 to +150
1.0
10.0
300.0
/
Volt
uA
mA
1
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