NDS9942/L99Z,NDS9942/L99Z pdf中文资料,NDS9942/L99Z引脚图,NDS9942/L99Z电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NDS9942/L99Z

NDS9942/L99Z: 产品描述3000mA, 20V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小238KB，共8页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/

敬请期待详细参数选型对比

NDS9942/L99Z概述

3000mA, 20V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

NDS9942/L99Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (ID)	3 A
最大漏源导通电阻	0.125 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
元件数量	2
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
功耗环境最大值	2 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

NDS9942/L99Z相似产品对比

	NDS9942/L99Z	NDS9942	NDS9942/L86Z	NDS9942/S62Z	NDS9942/D84Z
描述	3000mA, 20V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET	3A, 20V, 0.125ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	3A, 20V, 0.125ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	3000mA, 20V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET	3A, 20V, 0.125ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
最大漏极电流 (ID)	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A
最大漏源导通电阻	0.125 Ω	0.125 Ω	0.125 Ω	0.125 Ω	0.125 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
元件数量	2	2	2	2	2
端子数量	8	8	8	8	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Is Samacsys	-	N	N	N	-
最大脉冲漏极电流 (IDM)	-	10 A	10 A	-	10 A
最大关闭时间（toff）	-	100 ns	100 ns	-	100 ns
最大开启时间（吨）	-	35 ns	35 ns	-	35 ns
Base Number Matches	-	1	1	1	-

推荐资源

并联双路输出内存供电电路（NEC E660笔记本电脑）

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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