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GBU1002: 产品描述3.6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小158KB，共2页; 制造商Taiwan Semiconductor; 官网地址http://www.taiwansemi.com/; 标准

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3.6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

	GBU1002	GBU1001	GBU1004
描述	3.6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	3.6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	10 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证	符合	符合	符合
包装说明	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code	compli	compli	compli
其他特性	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED
最小击穿电压	100 V	50 V	400 V
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V	1.1 V	1.1 V
JESD-30 代码	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4	R-PSFM-T4
湿度敏感等级	1	1	1
最大非重复峰值正向电流	220 A	220 A	220 A
元件数量	4	4	4
相数	1	1	1
端子数量	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	10 A	10 A	10 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压	100 V	50 V	400 V
表面贴装	NO	NO	NO
端子面层	Pure Tin (Sn)	MATTE TIN	Pure Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
ECCN代码	EAR99	EAR99	-
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
厂商名称	-	Taiwan Semiconductor	Taiwan Semiconductor

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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