Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 6 INCH, WAFER
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | 6 INCH, WAFER |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | ULTRA FAST SPEED |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE |
门极发射器阈值电压最大值 | 6 V |
JESD-30 代码 | O-XUUC-N |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
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