DPZ1MX16NA3-10C,DPZ1MX16NA3-10C pdf中文资料,DPZ1MX16NA3-10C引脚图,DPZ1MX16NA3-10C电路-Datasheet-电子工程世界

DPZ1MX16NA3-10C: 产品描述Flash Module, 2MX8, 100ns, CPGA50, DENSE STACK, MODULE, HERMETIC SEALED, PGA-50; 产品类别存储存储; 文件大小526KB，共18页; 制造商B&B Electronics Manufacturing Company

下载文档详细参数全文预览

DPZ1MX16NA3-10C概述

Flash Module, 2MX8, 100ns, CPGA50, DENSE STACK, MODULE, HERMETIC SEALED, PGA-50

参数名称	属性值
厂商名称	B&B Electronics Manufacturing Company
零件包装代码	PGA
包装说明	DENSE STACK, MODULE, HERMETIC SEALED, PGA-50
针数	50
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	100 ns
其他特性	AUTOMATIC WRITE
备用内存宽度	16
JESD-30 代码	R-CPGA-P50
长度	25.146 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	FLASH MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	50
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	APGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, PIGGYBACK
并行/串行	PARALLEL
编程电压	12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	7.4676 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR
类型	NOR TYPE
宽度	13.716 mm

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ