电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

P6SMBJ160C-AU_R1_000A1

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 160V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小411KB,共7页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

P6SMBJ160C-AU_R1_000A1概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 160V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

P6SMBJ160C-AU_R1_000A1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最大击穿电压226 V
最小击穿电压178 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
参考标准AEC-Q101; IEC-61000-4-2; TS 16949
最大重复峰值反向电压160 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

P6SMBJ160C-AU_R1_000A1文档预览

下载PDF文档
P6SMBJ-AU SERIES
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 600 Watts
STAND-OFF VOLTAGE
5 to 220 Volts
Recongnized File # E210467
0.155(3.94)
0.130(3.30)
0.083(2.11)
0.075(1.91)
0.185(4.70)
0.160(4.06)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.096(2.44)
0.083(2.13)
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.220(5.59)
0.200(5.08)
FEATURES
• For surface mounted applications in order to optimize board space.
• Glass passivated junction
• Low inductance
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals
• Acqire quality system certificate : TS16949
AEC-Q101 qualified
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-214AA,Molded plastic over passivated junction.
• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Standard Packaging: 12mm tape (EIA-481)
• Weight: 0.003 ounce, 0.093 gram
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types P6SMBJ5.0 thru types P6SMBJ220.
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
For Capacitive load derate current by 20%.
Rating
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000μs waveform (Notes 1,2, Fig.1)
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method) (Notes 2,3)
Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1) Fig.3
Typical Thermal Resistance Junction to Air (Notes 2)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
PP
I
FSM
I
PPM
R
θJA
T
J
,T
STG
Value
600
100
see Table 1
60
-55 to +150
Units
Watts
Amps
Amps
O
C/W
O
C
NOTES :
1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
= 25
O
C per Fig. 2.
2. Mounted on 5mm
2
(0.13mm thick) land areas.
3. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maxi mum.
4. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V
RWM
), which should be equal to or
greater than the DC or continuous peak operating voltage level.
October 24,2012-REV.07
PAGE . 1
AD9异形焊盘怎么画
画一个SOT-3的封装,中间脚是个异形焊盘,按照网上的方法,怎么引脚和异形焊盘中间的阻焊层一直显示求教大神指导,画好之后如何让异形部分也具备焊盘属性,可以连接网络布线346200 ...
lierigubing PCB设计
430产生spwm波形问题
用430 产生一个spwm,我用的是规则采样,当载波比设置为129的时候波形正常,一旦超过129就会失真,如果设置成500那正弦波直接变为尖峰。不知道为什么,请教各位大神啊!!!!!!! 下面是我 ......
lly8941276 微控制器 MCU
一个关于UCLinux内核编译的错误,求解决
是这样的,我配置完源码之后运行了make进行构建,但是出现一个问题不知道怎么解决,特来求助,由于对这一块不太懂,还是新手,所以希望前辈们多指教307935 ...
ZGJ77 Linux开发
用Protel99SE实现脉冲电路的仿真
针对Protel99SE的数字电路模型不适用于脉冲电路仿真的缺陷,通过实例论述了用创建子电路模型和创建层次式模块电路来实现脉冲电路的仿真测试。 关键词:电子设计自动化 Protel99SE 仿真 子电路 ......
fighting PCB设计
关于FPGA的倍频
据说FPGA可以倍频,我的板子上是EP2CQ8Q208的芯片,50M的外部晶振,请问最大能倍频到多少啊。提前谢过啦...
白丁 FPGA/CPLD
大功率LED封装工艺及方案的介绍及讨论
各大LED生产商在上游磊晶技术上不断改进,如利用不同的电极设计控制电流密度,利用ITO薄膜技术令通过LED的电流能平均分布等,使在结构上都尽可能产生最多的。再运用各种不同方法去抽出LED发出的 ......
探路者 LED专区
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved