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P4KE51C_B0_00001

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 41.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小189KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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P4KE51C_B0_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 41.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,

P4KE51C_B0_00001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE
最大击穿电压56.1 V
最小击穿电压45.9 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散400 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压41.3 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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P4KE SERIES
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts
BREAK DOWN VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Excellent clamping capability
• Low zener impedance
• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
0.205(5.2)
0.160(4.1)
0.034(0.86)
0.028(0.71)
6.8 to 440 Volts
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-41 Molded plastic
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.012 ounce, 0.336 gram
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types
Electrical characteristics apply in both directions.
Rating
Peak Power Dissipation at T
A
=25
O
C, Tp=1ms (Notes 1)
Typical Thermal Resistance Junction to Air Lead Lengths .375",(9.5mm)
(Notes 2)
Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on
Rated Load (JECED Method) (Notes 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
PP
R
θJA
I
PPM
I
FSM
T
J
,T
STG
1.0(25.4)MIN.
0.107(2.7)
0.080(2.0)
Value
400
60
see Table
40
-65 to +175
Units
Watts
O
C/W
Amps
Amps
O
C
NOTES :
1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
=25°C per Fig. 2.
2. Mounted on Copper Leaf area of 1.57 in
2
(40mm
2
).
3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.
4. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V
RWM
), which should be equal to or greater than the DC
or continuous peak operating voltage level.
November 22,2012-REV.04
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