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1. 简介微型逆变器中的功率转换系统通常采用两级式设计，如图1-1所示。图1-1.微型逆变器两级拓扑在这种方案中，首先是一个直流/直流级（反激式或推挽式升压级），然后是另一个交流/直流级（自换向交流/直流或图腾柱PFC），将光伏电池板提供的直流电转换为通常在400VDC左右的临时直流总线。然后，根据国家或地区的电网情况，将直流总线转换为交流电压(110VAC...[详细]

摘要随着嵌入式系统日益复杂，传统微控制器往往难以满足当今的性能需求。于是，设计人员纷纷开始采用片上系统(SoC)解决方案。这类方案虽能提供更高的集成度和处理能力，却也带来了新的挑战，尤其是在电源管理方面。本文将探讨为SoC供电的基本考量因素，重点讲解如何解读和运用数据手册及技术参考手册中的关键信息。通过剖析影响电源方案设计的五个关键条件，本文将提供一份切实可行的分步指南，助力工程师胸有成竹...[详细]

英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™MOSFET1400VG2系列，提升大功率应用中的功率密度【2025年10月17日,德国慕尼黑讯】电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠...[详细]

中国上海，2025年10月16日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiCMOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS（储能系统）以及要求扁平化...[详细]

概述ADIPowerStudio™是一套面向应用工程师及高级电源设计用户的综合性产品系列，能够有效简化整个电源系统的设计流程，提供从初步概念到测量和评估的全程支持。PowerStudio提供统一、直观的工作流程，利用准确的模型来仿真实际性能，并自动生成关键的物料清单和报告等内容，帮助工程团队更早做出更优决策。ADIPowerStudio整合了凌力尔特与美信的元器件，构...[详细]

中国上海，2025年12月8日——照明与传感创新的全球领导者艾迈斯欧司朗今日宣布，与奥德堡集团（ZumtobelGroup）联合开发出用于运输LED灯带及电子元器件的塑料卷盘替代方案——采用纸质卷盘运输。该纸质卷盘可显著改善环境绩效指标，实现减重33%以上，二氧化碳减排降低75%以上。该新型卷盘方案不会产生额外成本，标志着电子行业构建可持续供应链的重要里程碑。纸质卷盘相较塑料卷盘而...[详细]

高能效GaN功率晶体管集成技术，为白色家电和工厂自动化电机驱动器量身定制2025年12月9日，中国–服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)新推出一款智能功率芯片，帮助家电和工业制造设备厂商利用最新的GaN(氮化镓)技术来提高电机驱动器的能效、性能和成本效益。市面上现有的GaN电源适配器和充电器能够为笔记本电脑...[详细]

摘要本文介绍了一款突破性的精密开关产品。这款产品旨在彻底化解需要高通道密度与高精度的印刷电路板(PCB)设计和电子测量系统所面临的挑战。这款开关采用创新的无源元件共封装方法，并具备直通引脚特性，不仅能显著优化PCB空间利用率，而且能大大提高开关通道密度。此外，得益于极低的导通电阻，测量精度得以提升，功耗有效降低，有利于系统层面的热管理。引言这款开关的主要创新之处在于，它巧妙地将...[详细]

『新品发布』共模高压大电流的超低噪声LDO家族又添新成员了——40V、1A快速动态响应LDOGM1415GM1415是一款输入电压高达40V，输出的电流高达1A的快速瞬态响应超低噪声LDO，具有3μVRMS的超低输出电压噪声和高达88dB的电源纹波抑制比，这使得该器件非常适合敏感的射频电源、仪器仪表、音频和医疗影像应用。GM1415兼顾“高效、稳定与低噪”三大核心需求，在关键性能...[详细]

全新共模电感采用铁氧体磁芯构造以降低辐射，提供卓越的EMI抑制效果2025年11月20日-Bourns全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出SRF1709共模扼流圈。这款全新的高电感扼流圈采用铁氧体磁环核心，可降低辐射，是有效的电源线噪声抑制方案。Bourns®SRF1709高电感共模扼流圈此全新扼流圈具备3.5mH的高感值、2...[详细]

助力新国标要求，纳芯微推出基于QM隔离驱动NSI67xx-Q1、满足ASILC功能安全等级的电驱系统方案随着新能源汽车对安全性要求的持续提升，电驱系统正从单一的动力执行单元，逐步演进为深度参与整车制动与扭矩安全控制的关键系统。在这一趋势下，于2026年实施的强制性国标GB21670明确提出：制动系统需按照ISO26262功能安全流程进行开发。尽管该标准并未强制规定具体的ASIL等级，...[详细]

如今，生成式人工智能（AI）的迅猛发展带来了数据处理需求的爆炸性增长。目前全球约有8,500个数据中心，且今年计划再建设150个，以应对日益增长的数据存储和处理需求。这些数据中心不仅规模各异，而且随着技术的进步，它们正变得越来越高效和强大。特别是超大规模数据中心，它们能够容纳数以万计的机架，支撑着庞大的工作负载和处理能力。数据中心电力挑战数据中心的电力需求随着AI处理器数量的增加而...[详细]

新型VETH100A1DD1器件符合OPENAlliance100Base-T1和1000Base-T1规范美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2024年10月16日—日前，威世科技VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出一款采用易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN1006-2B小型封装全新车规级双向单路ESD保护二极管---VETH100A1D...[详细]

氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而，由于工作电压和长期可靠性的制约，这些器件的潜力并未得到充分发挥，主要在消费电子领域内竞争价格。近期，随着高压氮化镓器件的陆续推出，我们看到了它们在更广泛市场应用中的潜力。远山半导体最近发布了新一代高压氮化镓功率器件，并在泰克先进半导体实验室进行了详尽的测试，这些测试结果为我们提供了对远山半导体氮化镓功率器件性能...[详细]

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)器件的栅极驱动器电源必须满足这些宽带隙半导体的独特偏置要求。本文将讨论在SiC和GaN应用中设计栅极驱动器电源时需要考虑的关键因素。SiC和GaN是宽带隙(WBG)半导体材料，因其开关更快且损耗更低，相较于传统硅(Si)在电力电子应用领域更具优势。对于需要关键考量高效率和高功率密度的应用来说，这类材料的市场占有率正在不...[详细]