BDS18-JQR-BR1,BDS18-JQR-BR1 pdf中文资料,BDS18-JQR-BR1引脚图,BDS18-JQR-BR1电路-Datasheet-电子工程世界

BDS18-JQR-BR1: 产品描述Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin, TO-220SM, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小61KB，共1页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/; 标准

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BDS18-JQR-BR1概述

Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin, TO-220SM, 3 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	TT Electronics plc
包装说明	TO-220SM, 3 PIN
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	15 A
集电极-发射极最大电压	120 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
JESD-609代码	e1
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	30 MHz

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