Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SMCJ75A

文档预览

SMCJ75A: 产品描述SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 表面贴装瞬态抑制器; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小2MB，共4页; 制造商扬杰科技(YANGJIE); 官网地址http://www.21yangjie.com/; 标准; 扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

下载文档在线购买

详细参数全文预览

SMCJ75A在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	SMCJ75A	-	-	点击查看	点击购买

SMCJ75A概述

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 表面贴装瞬态抑制器

1500 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管, DO-214AB

功能特点

产品名称：SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 表面贴装瞬态抑制器

产品型号：SMCJ75A

产品特征：

For surface mounted application

Low profile package

Built-in strain relief

Glass passivated junction

Fast response time : Typically less than 1.0ps from 0 volt to BV min.

Typical IR less than 1uA above 10V

High temperature soldering guaranteed: 250℃/ 10 seconds at terminals

Plastic material used carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

600 watts peak pulse power capability with a 10×1000 us waveform by 0.01% duty cycle

机械数据：

Casea: molded plastic

Terminals: Solder plated

Polarity: Indicated by cathode band

Standard Pcakaging : 16mm tape (EIA STD RS-481)

Weight: 0.21 gram

最大额定值和电气特性：

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

产品数据：

Peak Power Dissipation at Ta=25℃ Tp=1ms PPK 正向功耗：Minimun 1500W

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method)- Unidirectional Only IFSM 正向脉冲流： 100A

Maximum Instaneous Forward Voltage at 100A for Unidirectional Only

VF 最正向压降：3.5/5.0 V

Operating and Storage Temperature Range Tj. Tstg 工作结温：-55 to +150℃

Breakdown Voltage V(BR) 击穿电压： Min: 83.3V Max：92.1V

Test Current at IT 测试电流：1.0mA

Stand-Off Voltage Vwm 变位电压：75.0V

Max Reverse Leakage at Vwm IR 最大反向漏电流： 5μA

Max Peak Pulse Current IPPM 最大峰值脉冲电流：13.0A

Max Clamping Voltage at IPPM VC 最大箝位电压：121.0V

封装：SMC/DO214-AB

SMCJ75A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	扬杰科技(YANGJIE)
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	compli
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压	92.1 V
最小击穿电压	83.3 V
击穿电压标称值	87.7 V
最大钳位电压	121 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)	3.5 V
JEDEC-95代码	DO-214AB
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	1500 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	6.5 W
最大重复峰值反向电压	75 V
最大反向电流	5 µA
反向测试电压	75 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL

SMCJ75A文档预览

下载PDF文档

全文
预览

推荐资源

海信KFR-25GW-06BP变频空调器室内风扇电动机驱动电路

调试: 最近负责公司一个产品的研发，从原理图到打样回来调试，现在遇到一个问题请教各位大神，各路电压正常，能连接电脑烧录了程序，但是无法启动，也就是程序跑不起来，检查了配置电阻外围，现在卡住 ......; 樱花锦 PCB设计

MCU+8266程序结构如何设计: 请教下大家，我有个项目，以前是在GD32F450上做的，类似于ST的F427，使用CUBE生成的freertos+HAL库。主要两个任务，Main任务是以交流电转换来的信号作为外部中断起始运行，每20ms采集一次设备的 ......; yup1983 嵌入式系统

共享汽车要来了，你还打算买车吗？: 那边各家共享单车还在激烈的竞争，这边共享汽车已经悄悄上线。听说今天下午郑州的机场、火车站等公共场所陆续投放力帆的一款电动共享汽车了，19元/小时，129元/天。只要芝麻信用分大于650分，可 ......; eric_wang 聊聊、笑笑、闹闹

为什么我的STM32F207无法进行ISP串口升级程序: 最近一直在折腾stm32f207的ISP串口升级，可是不知道为什么，flash loader 一直无法识别到我的板子，难道stm32f207不支持isp模式吗？我的boot0=1,boot1=0,这个已经设置好了，串口我用的是UART1， ......; chengzp stm32/stm8

菜鸟求助: 在固件库v3.5中Systick库在哪里啊...; c51arm7 stm32/stm8

我的第一个博客，嘿嘿。: 第一次知道EEWORD还是做的这份工作，自己百度出来的，然后注册了，很幸运的认识了SOSO姐，高个子骨感的热心大美女。嘿嘿。不知不觉做这个工作也一年了，其中的酸甜苦辣各种味道都尝了一下，很幸 ......; 姚yolanda 淘e淘

安森美中国战略正在重写全球化创新路径

春天的上海，总在讲述未来。这一次，是关于全球化的另一种答案。近日，安森美CEOHassaneEl-Khoury站在上海世界会客厅会议室的舞台上，正式发布全新中国战略。这不只是一次常规的区域调整，更像是一种方向性的决策，在全球供应链与技术路径持续分化的背景下，这家公司选择以更聚焦的方式，加码中国。世界会客厅的选址，本就是一种表达。其前身为扬子江码头，是上海最早的远洋码头之一，见证了...[详细]
SmartDV展示AI & HPC连接与存储IP解决方案，以解锁下一代算力芯片和节点的“速度密码”

SmartDV@EW26回顾（二）SmartDV展示AI&HPC连接与存储IP解决方案，以解锁下一代算力芯片和节点的“速度密码”在AI大模型、超算集群和云原生数据中心蓬勃发展的今天，芯片内部和节点中的“数据高速公路”和“存储中枢”正成为制约处理器算力释放和节点整体性能的核心瓶颈。SmartDV作为领先的半导体知识产权（设计IP）与验证IP（VIP）解决方案提供商，正以其全面的高速...[详细]
消息称英特尔将向CEO陈立武旗下初创公司SambaNova再投1500万美元

据路透社4月2日（今天）早间报道，英特尔计划再向SambaNova投资1500万美元。根据路透社对公司记录的审查，该公司董事长正是英特尔CEO陈立武。这笔投资仍需监管批准，完成后英特尔持股将升至9%。此前英特尔在2月已投入3500万美元（IT之家注：现汇率约合2.41亿元人民币），使持股从去年的6.8%提升至8.2%，并与SambaNova宣布建立“...[详细]
半年翻三倍！三星2nm良率涨至60%以上：紧追台积电

3月25日消息，据韩国媒体报道，三星代工业务的2nm制程良率已提升至60%以上，去年下半年该工艺良率还停留在20%出头，两个季度内实现了三倍以上的飞跃。目前三星2nm产线的主要客户包括三星系统LSI部门、矿机芯片厂商嘉楠科技（Canaan）和微比特（MicroBT），其中嘉楠和微比特委托生产的挖矿芯片良率改善最为显著，是推动整体数据上行的主力。作为参照，全球代工龙头台积电的2nm工艺良率目前...[详细]
ADI启用泰国新工厂，强化全球制造韧性

中国，北京，2026年3月20日——全球领先的半导体公司AnalogDevices,Inc.(Nasdaq:ADI)宣布公司在泰国新落成的先进制造工厂已经正式启用。此举将进一步提升ADI的先进制造与测试能力，同时推动公司在亚太地区形成更具韧性和可持续性的半导体生产布局。此次扩建基于ADI的混合制造战略，依托由内部工厂、外部代工厂与外包半导体组装和测试(OSAT)合作伙伴构成的全球网络，打...[详细]
意法半导体将举办“云端人工智能”与“智能感知赋能物理 AI”主题投资者电话会

意法半导体（简称“ST”）将于2026年3月面向投资者和分析师举办两场线上会议，包括：“ST助力云端人工智能(STforCloudAI)”将由意法半导体微控制器、数字IC和射频产品部总裁RemiEl-Ouazzane主持。电话会议及网络直播时间：2026年3月9日，北京时间晚10:30。“ST智能感知赋能物理AI(STIntelligen...[详细]
戴尔科技集团公布2026财年第四财季及全年财报

美国德克萨斯州，朗德罗克–2026年2月26日戴尔科技集团公布了截至2026年1月30日的2026财年第四财季及全年业绩报告。同时，公司还发布了2027财年第一财季及全年业绩指引。2026财年全年业绩摘要全年营收为1,135亿美元，同比增长19%，创历史新高全年每股摊薄收益为8.68美元，同比增长36%；全年非一般公认会计准则（以下简称“non-GAA...[详细]
安森美公布2025年第四季度及全年业绩

2025年通过股票回购向股东返还14亿美元自由现金流中国上海，2026年2月10日——安森美（onsemi）宣布公布其2025年第四季度及全年财务业绩，要点如下：第四季度收入为15.30亿美元第四季度公认会计原则（以下简称“GAAP”）和非GAAP毛利率分别为36.0%和38.2%第四季度GAAP营业利润率和非GAAP营业利润率分别为13.1%和19.8%第四季...[详细]
消息称台积电聚焦 CoWoS 扩产，部分其它先进封装受影响

2月4日消息，台媒《电子时报》1月29日报道称，台积电近期作出上调2026~2027年CoWoS2.5D异构集成技术产品目标的决定，对此前的先进封装产能规划进行调整，计划中的部分其它生产线也将改为CoWoS。促使台积电调整先进封装领域规划的主要原因无疑还是依赖CoWoS技术的高阶AI芯片需求旺盛，最大客户英伟达自不必谈，AIASIC的产能也正加速增长。有...[详细]
三星晶圆代工业务自 2022 年以来持续亏损数万亿韩元，但被看好明年实现扭亏为盈

1月27日消息，据韩国《朝鲜日报》昨日报道，三星电子半导体（DS）部门中长期处于亏损状态的晶圆代工（Foundry）业务，被看好可在明年实现扭亏为盈。自2022年起连续录得数万亿韩元亏损的三星电子晶圆代工业务，被看好存在明年实现盈利的可能性。KB证券研究本部长金东元表示：“随着特斯拉AI芯片供货规模扩大、产线开工率提升，三星晶圆代工业务有望从去年约7万亿韩元的亏损转为明年...[详细]
消息称英特尔再度合并数据中心与 AI 加速器部门

1月21日消息，根据外媒CRN获取到的英特尔内部文件，英特尔再度将负责传统数据中心与AI加速器的两个服务器方向部门合并为一个事业群，统筹整体数据中心业务。考虑到目前AI服务器的形态正向完整的机架式系统转移，此次部门合并有利于英特尔在AI解决方案的各个环节形成合力，发挥x86生态系统的优势。英特尔此次还宣布前Arm高级副总裁NicolasDubé加入公司，负...[详细]
全球内存价格恐进一步失控，美国挥舞 100% 关税大棒

1月20日消息，2026年1月18日在美光纽约工厂奠基仪式上，美国商务部部长霍华德·卢特尼克（HowardLutnick）释放明确信号：存储芯片制造商要么选择在美国本土建厂，要么面临高达100%的惩罚性关税。继台积电、三星等企业响应“美国制造”号召进行投资后，美国政府此次将矛头明确指向了DRAM（动态随机存取存储器）供应链，意图通过高额关税倒逼全球存储巨头将产能转移...[详细]

小广播

热搜元器件