Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> KSA1220AO

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KSA1220AO: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小284KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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KSA1220AO概述

Transistor

KSA1220AO规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	长电科技(JCET)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	1.2 A
基于收集器的最大容量	26 pF
集电极-发射极最大电压	160 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100
JEDEC-95代码	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	PNP
功耗环境最大值	1.25 W
最大功率耗散 (Abs)	20 W
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	175 MHz
VCEsat-Max	0.7 V

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

KSA1220/1220A

TRANSISTOR (PNP)

TO-126

FEATURES

Audio Frequency Power Amplifier

High Frequency Power Amplifier

Complement to KSC2690/KSC2690A

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current ( PW

≤10ms,Duty

Cycle

≤2

% )

Base Current

Collector Power Dissipation (T

= 25

℃)

Collector Power Dissipation (T

= 25

℃)

stg

Junction Temperature

Storage Temperature

Parameter

KSA1220

KSA1220A

CEO

KSA1220

KSA1220A

EBO

Value

-120

-160

-120

-160

-5

-1.2

-2.5

-0.3

1.25

150

-55-150

Unit

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

(1)

Symbol

CBO

EBO

FE(1)

FE(2)

CE(sat)

BE(sat)

Test

conditions

Min

Typ

Max

-1

Unit

μA

=-120V, I

=-3 V, I

=-5V, I

=-5mA

=-5V, I

=-300mA

=-1 A, I

=-200mA

(1)

=-1 A, I

=-200mA

(1)

=-5V, I

=-200mA

=-10V, I

=0, f=1MHz

-0.4

-1

175

320

-0.7

-1.3

MHz

Pulse Test : PW

≤350us

, Duty Cycle

≤

2 %

CLASSIFICATION OF

Rank

Range

FE(2)

60-120

100-200

160-320

A,Jun,2011

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