SMCJ58A,SMCJ58A pdf中文资料,SMCJ58A引脚图,SMCJ58A电路-Datasheet-电子工程世界

SMCJ58A: 产品描述SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 表面贴装瞬态抑制器; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小2MB，共4页; 制造商扬杰科技(YANGJIE); 官网地址http://www.21yangjie.com/; 标准; 扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

SMCJ58A在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	SMCJ58A	-	-	点击查看	点击购买

SMCJ58A概述

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 表面贴装瞬态抑制器

瞬态抑制二极管

功能特点

产品名称：SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 表面贴装瞬态抑制器

产品型号：SMCJ58A

产品特征：

For surface mounted application

Low profile package

Built-in strain relief

Glass passivated junction

Fast response time : Typically less than 1.0ps from 0 volt to BV min.

Typical IR less than 1uA above 10V

High temperature soldering guaranteed: 250℃/ 10 seconds at terminals

Plastic material used carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

600 watts peak pulse power capability with a 10×1000 us waveform by 0.01% duty cycle

机械数据：

Casea: molded plastic

Terminals: Solder plated

Polarity: Indicated by cathode band

Standard Pcakaging : 16mm tape (EIA STD RS-481)

Weight: 0.21 gram

最大额定值和电气特性：

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

产品数据：

Peak Power Dissipation at Ta=25℃ Tp=1ms PPK 正向功耗：Minimun 1500W

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method)- Unidirectional Only IFSM 正向脉冲流： 100A

Maximum Instaneous Forward Voltage at 100A for Unidirectional Only

VF 最正向压降：3.5/5.0 V

Operating and Storage Temperature Range Tj. Tstg 工作结温：-55 to +150℃

Breakdown Voltage V(BR) 击穿电压： Min: 64.4V Max：71.2V

Test Current at IT 测试电流：1.0mA

Stand-Off Voltage Vwm 变位电压：58.0V

Max Reverse Leakage at Vwm IR 最大反向漏电流： 5μA

Max Peak Pulse Current IPPM 最大峰值脉冲电流：16A

Max Clamping Voltage at IPPM VC 最大箝位电压：93.6V

封装：SMC/DO214-AB

SMCJ58A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	扬杰科技(YANGJIE)
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	compli
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压	71.2 V
最小击穿电压	64.4 V
击穿电压标称值	67.8 V
最大钳位电压	93.6 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)	3.5 V
JEDEC-95代码	DO-214AB
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	1500 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	6.5 W
最大重复峰值反向电压	58 V
最大反向电流	5 µA
反向测试电压	58 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL

推荐资源

关于芯片拖焊出现的问题: 我要刀型号铬铁头拖焊内存芯片时，为什么最后多的焊锡总会留在最后两个脚上，只能用吸锡带清除，我看视频中别人施焊时，都不用吸锡带，可以直接用铬铁头把焊锡直接带走，这是不是因为我的刀头不能吸焊锡的原因？...; sunboy25 模拟电子

st官网stm32固件库3.5: [font=arial, courier new, courier, 宋体, monospace][color=#333333][size=14px]固件库包括[/size][/color][/font]stm32各功能模块的配置以及使用。类似与api，让你少接触底层，就可以写出程序。提高开发效率及降低门槛。但是还是建议多看datasheet，只有熟悉了底层，才能写出更高效的程序。官网stm32固...; Atmel89C52 stm32/stm8

hercules菜鸟步步新建工程点亮LED（HET0）: [align=left][b]一、环境说明：[/b][/align][align=left]HALCoGen ：版本03.05.02[/align][align=left]CCS：版本Code Composer Studio Version:5.4.0.00091[/align][align=left]硬件：TMS570LS031USB[/align][align=left] [/align][a...; 蓝雨夜微控制器 MCU

达芬奇DSP算法很慢的问题: 问题是这样，我用videnc_copy修改，加入我的放大算法代码，在process里面要用到width height pitch等值，要传参数，我把这些变量放到process里面声明称局部变量并赋初值，程序就跑的很快（20ms），但是我把这几个变量复制到process的外面（全局变量并赋初值），程序就跑的很慢了（170ms）。请教是什么原因...; azhe999 嵌入式系统

[GD32L233C] + 5.使用RTThread的Finsh组件: [i=s] 本帖最后由 chrisrh 于 2022-2-8 11:25 编辑 [/i]在RTThread_rt_kprintf的基础之上使用Finsh组件①.点击绿砖②.勾选贝壳shellOK，cmd、msh和shell被添加到工程中：③.在rtconfig.h中开启使用finsh④.在finsh_port.c中添加头文件和getchar函数：头文件添加：#include "gd32l233c_...; chrisrh GD32 MCU

通过TSP利用3700系列系统开关/万用表和2600系列SourceMeter®: 在2005年，随着2600系列第一款一体化源表的引进，吉时利推出了安装有板上测试脚本处理器（Test Script Processors，TSP™）的测试测量仪器。TSP执行基于文本的程序，非常类似于SCPI，具有增强的测试序列/流程控制、决策判断以及利用用户自定义测试脚本实现仪表自主控制等特性功能。随着吉时利引入最新的、具有TSP能力的3700系列系统交换/万用表，测试系统开发者透彻...; Jack_ma 测试/测量

宇瞻发布业内首款DDR5 RDIMM工业级服务器内存

根据官方消息，宇瞻于8月19日宣布推出业界首款DDR5RDIMM工业级服务器内存条，适用于数据中心、高性能工作站等使用。官方表示，该系列内存拥有高可靠性和优秀的能效，有助于提升AI与边缘运算的性能。　　宇瞻DDR5RDIMM工业级内存预计将于2022年第二季度与英特尔IntelEagleStream平台同步上市，适用于SapphireRapids下一...[详细]
博通收购高通或有变数：面临中国等国的严格审查

新浪科技讯北京时间11月7日下午消息，据路透社报道，本周一半导体行业的最大并购案引发热议，可谓轰动一时。通讯芯片制造商博通Broadcom准备斥巨资1030亿美元强势收购智能手机芯片供应商高通公司Qualcomm，该交易有可能成为科技行业史上规模最大的宗收购案，一旦成功收购将重塑手机硬件行业的整体布局。　　作为世界电子消费第一大国，中国半导体行业也面临前所未有的压力。目前中国半导体...[详细]
奥林巴斯深圳工厂停产停工是因拍照手机？

　　深圳奥林巴斯公司2016年数码相机产量只有2008年的20%供图/视觉中国　　本报讯（记者张钦）前天，日本光学巨头奥林巴斯突然宣布公司正在关闭其在中国的所有相机工厂，同时考虑将未来奥林巴斯数码相机产品的生产工作从中国转移到越南。虽然此前奥林巴斯已经放过风将收缩在中国的生产线，但前天宣布的这一计划依然让外界感到突然。　　事件　　奥林巴斯深圳工厂停产停工　　奥林巴斯发布的消息称，此次...[详细]
传台积电7nm独拿苹果A12订单

台积电下半年7nm发威，可望独拿苹果iPhone新机的A12处理器订单，并将跨足MacBook处理器领域。集微网消息，苹果新机今年或在7、8月份提前发布，台积电最快6月底就可展现苹果新机订单相关动能，后续还有Mac处理器新单可期，全年营收可望顺利冲破1兆元新台币大关，创新高，成为台湾半导体业第一家达成年营收站上兆元新台币的半导体厂商。外媒报导，台积电7纳米FinFET制程设计出二种架构，一...[详细]
拆董明珠的台？格力创始人说造芯片没信心

对格力电器创始人、原董事长朱江洪而言，几乎每一次在公众场合出现，都少不了被问及有关格力的问题，他在回答时，往往会经历“三部曲”。昨天（6月30日），朱江洪在广州参加一场活动时，又一次经历了答问“三部曲”：欲言又止：“历史是最好的证明”；骨鲠在喉：“事实就是事实”；不吐不快：“现在很多媒体，老是提1997年以前格力都是亏本的。这是胡说八道，1996年我们就...[详细]
北方华创微电子获Micro-OLED设备订单切入新型显示领域

2018年3月，北方华创微电子12英寸刻蚀机、PVD及立式退火炉获得合肥视涯显示科技有限公司的批量采购订单，标志着北方华创微电子半导体设备技术成功延伸应用于硅基OLED（Micro-OLED）这一新型显示领域。视涯显示是一家从事硅基微型显示技术开发和生产的公司。公司致力于开发全球领先的微型显示器件——Micro-OLED显示技术，并计划在合肥建设12英寸晶圆厂，生产Micro-OLED显示...[详细]
三星集团李在镕重获自由最高决策真空状况暂时解除

涉韩国前总统朴槿惠“闺密门”行贿关说案的三星电子(SamsungElectronics)副会长李在镕，稍早2月5日下午进行二审宣判，刑期从原本一审的5年有期徒刑，缩减为2年6个月，并且得以缓刑4年，三星少主李在镕被羁押353天后终于重获自由，预料三星集团(SamsungGroup)最高决策真空将暂告一段落。综合多家韩媒的报导，三星电子副会长李在镕2017年2月17日收押至今，已被法院羁...[详细]
IDM公司2011年继续关闭旧厂，晶圆代工业前景看涨

　　2011年全球IDM厂商为降低营运成本，将持续走向轻资产化路线并加速关闭旧厂房的步伐。根据国际半导体设备暨材料协会(SEMI)的统计，2009年全球总计有27条生产线关闭，包括11条8吋线和1条12吋线。2010年则有15条生产线被关闭，包括6条8吋线(皆非内存厂)、3条6吋线、2条5吋线、1条4吋线、1条3吋线及2条2吋线；近2年合计关闭逾40条生产线，主要是IDM厂房。至于2011年...[详细]
进退维谷　IC设计业无为而治似为上策

面对第2季的欧洲债信风暴以及第3季传统旺季效应的交互影响，一直没有分出胜负的现况，台系IC设计业者近期在上游晶圆代工产能持续喊紧，下游客户却开始唱衰的夹击下，已明显处在进退两难的情形中。看不好市况的业者，想抽产能，却又担心万一届时需求热络，恐影响第3季营收；反之看好市况的业者，想加产能，却也担心若库存一增，旺季效应将大打折扣，再一次烫伤自己。在怎么处理都好像不妥的情形下，「无为而治」似乎已...[详细]
高通发布系列新品重点争夺博通传统市场

全球智能手机芯片制造商高通日前发布大量新产品，并展示出其在具有传统优势的移动手机领域之外，赢得了更多市场青睐。通过此举，高通力图证明其独立发展的强大实力。博通1050亿美元恶意收购的枪口瞄准了高通。在此局面下，高通竭力展示其在汽车芯片、用于语音控制扬声器的新型处理器以及用于无线耳机的组件领域的主导地位。周一在拉斯维加斯举行的全球消费电子展(CES)上，高通表示正在家用Wi-Fi路由器领域抢夺博...[详细]
南芯半导体完成数千万元A轮融资，顺为资本领投

投资界1月23日消息，高性能模拟芯片半导体公司南芯半导体已完成数千万人民币的A轮融资，本轮融资由顺为资本领投，产业资本海翼股份、紫米科技跟投。南芯也是顺为资本投资的第一个芯片设计公司。　　南芯半导体成立于2015年，主要做集成电路芯片的研究、设计、开发和销售，目前主要提供Buck-Boost为核心的高性价比电源管理方案。公司已于2016年实现了业界第一颗支持Type-CPowerD...[详细]
丁文武：推动集成电路产业做大做强

　　工业和信息化部电子信息司司长丁文武　　过去的2011年，面对复杂多变的国际经济环境、需求放缓的全球半导体市场以及日本地震等不利因素，全行业努力克服各种困难，我国集成电路产业实现了平稳发展，巩固和扩大了应对国际金融危机冲击所取得的成果，基本实现了“十二五”时期的良好开局。　　2011年我国集成电路产业简要回顾　　(一)产业规模增速先高后低，全年实现平稳增长。2011年上半年全行业...[详细]
Mouser/格兰今原共同打造智能城市系列新作

贸泽电子(Mouser)与格兰今原(GrantImahara)一同发表打造智能城市系列的新影片，这是Mouser获奖肯定的EmpoweringInnovationTogether计划的系列作品。贸泽总裁暨执行长GlennSmith表示，虽然打造智能城市需要的是技术，但还要靠创新工作者的努力，才能让技术成真。该公司将在此新影片系列中看到，一些世界各地最出色的工程师与创新工作者如何开启新...[详细]
三星电子半导体全球市占首度突破10%

南韩媒体联合新闻通讯社(YonhapNews)日文版22日报导，根据美国调查公司IHSiSuppli公布的资料显示，上季(2012年4-6月)三星电子(SamsungElectronicsCo)半导体销售额较去年同期成长5.8%至75亿7,100万美元，全球市占率(以销售额换算)达10.1%，首破突破10%关卡。据报导，在半导体景气低情的情况下，三星仍旧交出亮眼成绩，这主要归功于具...[详细]
iSuppli：中国无厂IC设计公司应向联发科学习

《周易》写道：“穷则变，变则通，通则久。”iSuppli公司认为，对于中国的无厂半导体设计产业来说，已经走到了穷途，现在到了应该变革的时候。在全球经济陷入危机之际，中国年幼的无厂产业面临巨大挑战：需求下降，现金储备萎缩，资本金损失，同质化产品过多，价格竞争激烈，运营成本上升，开发风险增大，市场导向混乱，产品定义不明。预计这些问题将导致100多家中国IC企业在未来两年内消...[详细]

小广播

热搜元器件