电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

GARS251

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 100V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小118KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
下载文档 详细参数 全文预览

GARS251概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 100V V(RRM), Silicon,

GARS251规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明O-PEDB-N2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码O-PEDB-N2
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流5 µA
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END

GARS251文档预览

下载PDF文档
GAR251 thru GAR256 / GARS251 thru GARS256
Button Diodes
Current 25 Amps
Voltage Range 100 to 600Volts
Technical Specification:
Features:
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
High forward surge current capability
Mechanical Data:
Technology: Vacuum soldered.
Case: Transfer molded plastic.
Polarity: Color ring denotes cathode.
Lead: Plated lead, solderable per MIL-STD-202E method 208C
Mounting position: Any
Weight: 0.064 ounces, 1.8 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load derate current by 20%.
Parameters
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum Average rectified forward current at T
C
=105
o
C
Peak forward surge current 8.3mS single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)
Rating for fusing (t<8.3mS)
Maximum instantaneous forward voltage drop at 100A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
Typical thermal resistance
Operating and storage temperature range
Notes:
T
A
=25
o
C
T
C
=150
o
C
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
R
θ
JL
T
J
, T
STG
GAR251
GARS251
100
70
100
GAR252
GARS252
200
140
200
GAR253
GARS253
300
210
300
25
400
664
1.10
5.0
450
1.0
-65 to +175
o
GAR254
GARS254
400
280
400
GAR256
GARS256
600
420
600
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
A
2
S
Volts
uA
C/W
o
C
1. Enough heatsink must be considered in application.
39
F5529的DMA采集ADC问题
刚用了一下TI的DMA采集ADC的例程,发现,不能使用,无法进入DMA中断,因此采不到数据,有解决办法吗?代码如下: /* --COPYRIGHT--,BSD * Copyright (c) 2017, Texas Instruments Incorpo ......
ASGAD 微控制器 MCU
U盘安装UBUNTU
准备工作 ubuntu镜像iso Unetbooti:linux写入工具 BOOTICE引导设置工具 U盘一个 第一步,使用unetbootin向U盘写入Linux系统ISO镜像。 180900 用于在重启之间保留文件的空间”这里设置 ......
白丁 综合技术交流
菜鸟求助:AT89C51和C52在protues运用有什么区别?
本人菜鸟,很菜的那种,在用protues进行单片机仿真的时候把AT89C51换成AT89C52,原本是没有问题的,可以仿真,可是换了之后就没办法仿真了。我做的是电子密码锁,换单片机前后程序是没变的,引 ......
落魄IV 单片机
想买个更好点的MSP430,各位前辈来说说买哪个好。
我现在只有一个lanuchpad。还有个坏了的51单片机。 由于lanuchpad自带一个仿真器,我想继续用lanuchpad用作仿真器。 该买什么样的msp430单片机,只要一个最小板就行了。然后把坏51上的零件装 ......
smallbird 微控制器 MCU
microblaze中GPIO与FPGA其它逻辑通信的问题
使用的是Microblaze,单独在EDK中编写的程序下载到板子上运行正常,但是将microblaze作为大的ISE工程的IP核加进去的时候,microblaze中的程序运行不正常。具体来说,microbalze中用了4个GPIO,两 ......
rbwangcas FPGA/CPLD
【求助】Altium Desiger 封装向导里找不到双列直插DIP的向导
今天想用Altium Desiger 做一个双列直插的32脚原件封装,但我在Altium Desiger封装向导里找不到双列直插DIP的向导?只能手工一个焊盘一个焊盘画了? 76752 本帖最后由 麒麟刀 于 2011-11 ......
麒麟刀 PCB设计
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved