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ER1001ACT_T0_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小121KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER1001ACT_T0_10001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

ER1001ACT_T0_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

ER1001ACT_T0_10001文档预览

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ER1000CT~ER1006CT
SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• Super fast recovery times, high voltage.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
50 to 600 Volts
CURRENT
10 Amperes
MECHANICAL DATA
• Case: TO-220AB Molded plastic
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859grams.
MAXIMUM RATING AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re curre nt P e a k R e ve rse V o lta g e
Ma xi mum R MS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo ck i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve r a g e F o rwa r d C urre nt a t T
C
= 1 0 0
O
C
P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt, 8 .3 ms s i ng le ha lf si ne -wa ve
sup e ri mp o se d o n ra te d lo a d (JE D E C me tho d )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 5 A , p e r e le me nt
Ma xi mum D C Re ve rse C ur re nt a t Ra te d D C B lo c ki ng T
J
=2 5
O
C
Vo lta g e
T
J
=1 0 0
O
C
Ma xi mum R e ve rs e Re co ve ry Ti me (No te 2 )
Typ i ca l J unc ti o n C a p a c i ta nce (No te 1 )
Typ i ca l T he rma l Re si sta nce
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
S YMB OL
E R1 0 00 C T E R10 0 1C T E R1 00 1 A C T E R10 0 2C T E R1 0 03 C T E R1 0 04 C T E R10 0 6C T
UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
J
C
T
J
,T
S TG
35
62
3
- 5 5 to +1 5 0
0 .9 5
1
500
50
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
10
150
1 .3
1.7
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
V
A
ns
pF
O
C /
W
C
O
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, Irr=.25A.
3. Both Bonding and Chip structure are available.
January 9 2013-REV.06
PAGE . 1
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