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ES3G

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小35KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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ES3G概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMC, 2 PIN

ES3G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
包装说明PLASTIC, SMC, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompliant
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
ES3A thru ES3J
REVERSE VOLTAGE -
50
to
400
Volts
FORWARD CURRENT -
3.0
Amperes
SURFACE MOUNT
SUPER FAST RECTIFIERS
FEATURES
Glass passivated chip
Super fast switching for high efficiency
For surface mounted applications
Low forward voltage drop and high current capability
Low reverse leakage current
Plastic material has UL flammability classification 94V-0
SMC
SMC
A
DIM.
A
B
C
B
C
D
E
F
G
H
E
F
D
G
H
MIN.
6.60
5.59
2.92
0.15
7.75
0.05
2.01
0.76
MAX.
7.11
6.22
3.18
0.31
8.13
0.20
2.62
1.52
MECHANICAL DATA
Case : Molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.007 ounces, 0.21 grams
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
@TL =110 C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
ES3A
50
35
50
ES3B
100
70
100
ES3C
150
105
150
3.0
ES3D
200
140
200
ES3G
400
280
400
ES3J
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum forward Voltage at 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current @TJ =25 C
at Rated DC Blocking Voltage @TJ=125 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Reverse Recovery Time
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
T
RR
C
J
R
θ
JL
R
θ
JA
T
J
T
STG
25
20
0.92
100
1.25
10
500
35
30
45
10
50
-55 to + 150
-55 to + 150
15
1.30
A
V
uA
ns
ns
pF
C/W
C/W
C
C
NOTES : 1. Reverse Recovery Test Conditions :I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,I
RR
=0.25A.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. Thermal Resistance junction to Lead.
REV. 3, 25-Mar-2002, KSGC01
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