71V3557S75BQGI,71V3557S75BQGI pdf中文资料,71V3557S75BQGI引脚图,71V3557S75BQGI电路-Datasheet-电子工程世界

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71V3557S75BQGI: 产品描述ZBT SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小491KB，共26页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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71V3557S75BQGI概述

ZBT SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

71V3557S75BQGI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	TBGA,
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	7.5 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e1
长度	15 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	165
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	13 mm
Base Number Matches	1

71V3557S75BQGI相似产品对比

	71V3557S75BQGI	71V3557S75BQI	IDT71V3557S75BGGI	71V3557S75BGGI	71V3559S75BQGI	IDT71V3559S75BQGI	71V3559S75BGI	IDT71V3557S75BQGI	71V3559S75BGGI	IDT71V3559S75BGGI
描述	ZBT SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165	ZBT SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165	ZBT SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165	ZBT SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165	ZBT SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165	ZBT SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
是否无铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	符合	符合	符合	不符合	符合	符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TBGA,	TBGA,	BGA,	BGA,	TBGA,	TBGA,	BGA,	TBGA,	BGA,	BGA,
针数	165	165	119	119	165	165	119	165	119	119
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B119	R-PBGA-B165	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1	e0	e1	e1	e1	e1	e0	e1	e1	e1
长度	15 mm	15 mm	22 mm	22 mm	15 mm	15 mm	22 mm	15 mm	22 mm	22 mm
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	36	36	36	36	18	18	18	36	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	165	119	119	165	165	119	165	119	119
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	262144 words	262144 words	262144 words	131072 words	262144 words	262144 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	256000	256000	256000	128000	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36	256KX18	256KX18	256KX18	128KX36	256KX18	256KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	BGA	BGA	TBGA	TBGA	BGA	TBGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	225	260	260	260	260	225	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	2.36 mm	2.36 mm	1.2 mm	1.2 mm	2.36 mm	1.2 mm	2.36 mm	2.36 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN LEAD	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN LEAD	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1.27 mm	1.27 mm	1 mm	1 mm	1.27 mm	1 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	20	30	30	30	30	20	30	30	30
宽度	13 mm	13 mm	14 mm	14 mm	13 mm	13 mm	14 mm	13 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)

71V3557S75BQGI

71V3557S75BQGI概述

71V3557S75BQGI规格参数

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