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NAND02GR4B2CZA6E

产品描述128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共60页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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NAND02GR4B2CZA6E概述

128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63

128M × 8 FLASH 1.8V 可编程只读存储器, 25000 ns, PBGA63

NAND02GR4B2CZA6E规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数63
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间25000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e1
长度12 mm
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量63
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度9.5 mm
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