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CBD20100LCT_00001

产品描述Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小87KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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CBD20100LCT_00001概述

Rectifier Diode

CBD20100LCT_00001规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompliant
二极管类型RECTIFIER DIODE
Base Number Matches1

CBD20100LCT_00001文档预览

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CBD20100LCT
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
100 Volts
CURRENT
20 Amperes
MECHANICAL DATA
Case : TO-220AB, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Typical thermal resistance per diode
Operating junction temperature range
Storage temperature range
per device
per diode
per diode
(Note 1)
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
R
Θ
JC
T
J
T
STG
VALUE
100
20
10
200
2.5
-55 to + 150
-55 to + 150
o
UNIT
V
A
A
C/W
o
C
C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Breakdown voltage per diode
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITIONS
I
R
=1.0mA
I
F
=3A
I
F
=5A
I
F
=10A
I
F
=3A
I
F
=5A
I
F
=10A
V
R
=80V
Reverse current per diode
I
R
V
R
=100V
T
J
=25
o
C
T
J
=125
o
C
T
J
=25
o
C
TYP.
100
0.55
0.64
0.74
0.47
0.53
0.61
3.3
-
5.8
MAX.
-
-
-
0.79
-
-
0.66
-
20
10
UNIT
V
V
Instantaneous forward voltage per diode
V
F
T
J
=125
o
C
V
μA
μA
mA
Note : 1. Infinite heatsink.
December 21,2012-REV.02
PAGE . 1
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