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BAW156DW_R2_00001

产品描述Rectifier Diode, 4 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小184KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAW156DW_R2_00001概述

Rectifier Diode, 4 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6

BAW156DW_R2_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量4
端子数量6
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.2 W
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流0.08 µA
最大反向恢复时间3 µs
反向测试电压75 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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BAS116TW/BAW156DW/BAV170DW/BAV199S
SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES
VOLTAGE
FEATURES
Suface mount package ideally suited for automatic insertion.
Very low leakage current. 2nA typical at VR=75V.
Low capacitance. 2pF max at VR=0V, f=1MHz
Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives.
Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
100 Volts
POWER
200mWatts
0.087(2.20)
0.074(1.90)
0.010(0.25)
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.030(0.75)
0.021(0.55)
0.056(1.40)
0.010(0.25)
0.003(0.08)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-363 plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx weight: 0.006 grams
• Marking: BAS116TW :PA,BAW156DW :P4,BAV170DW :P3,BAV199S :PB
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.047(1.20)
0.012(0.30)
0.005(0.15)
ABSOLUTE RATINGS (each diode)
PA RA ME TE R
R e ve r s e Vo l t a g e
P e a k R e ve r s e Vo l t a g e
C o nti nuo us F o r wa r d C ur r e nt
N o n- r e p e t i t i ve P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt a t t = 1 . 0 us
I
S ym b o l
V
R
V
RM
I
F
Va lue
75
100
0.2
4
.0
Uni ts
V
V
A
A
FSM
THERMAL CHARACTERISTICS
PA RA ME TE R
P o we r D i s s i p a ti o n (No te 1 )
The r m a l Re s i s ta nc e , J unc ti o n to A m b i e nt ( No te 1 )
J u n c t i o n Te m p e r a t u r e
S t o r a g e Te m p e r a t u r e
S ym b o l
P
TOT
R
θ
J A
T
J
T
S TG
Va lue
200
625
-55 to 150
-55 to 150
O
Uni ts
mW
C /W
O
C
C
O
6
5
4
6
5
4
6
5
4
6
5
4
NOTE:
1. FR-4 Board = 70 x 60 x 1mm.
1
2
3
1
2
3
1
2
3
1
2
3
Fig.48
Fig.51
Fig.52
Fig.32
BAS116TW
REV.0.1-FEB.11.2009
BAW156DW
BAV170DW
BAV199S
PAGE . 1
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