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BX320F_R1_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, SMAF, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小313KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BX320F_R1_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, SMAF, 2 PIN

BX320F_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMAF, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流50 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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BX38F SERIES
SURFACE
MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Low power loss, high efficiency
Metal to silicon rectifier. majority carrier conduction
High surge capacity
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification
94V-O
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling,
and polarity protection applications
• Lead free in comply with EU RoHS
2011/65/EU
directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
80-200 Volts
CURRENT
3 Amperes
MECHANICAL DATA
• Case: SMAF molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity : Color band denotes cathode end
• Approx. Weight: 0.0011 ounces, 0.0328 grams
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
o
PA R A M E TE R
Re c urr e nt P e a k R eve rs e Vo lta g e
RM S Vo lta g e
D C B lo c k i ng Vo lta g e
A ve ra g e F o r w a rd C ur re nt
P e a k F o rw a rd S ur g e C urr e nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne -
wa ve s up e r i m p o s e d o n r a te d lo a d ( J E D E C me tho d )
F o rw a r d Vo lta g e a t 3 A
D C Re ve rs e C ur r e nt a t Ra te d
D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l J unc ti o n C a p a c i ta nc e (V
R
= 4 V, f= 1 MH
Z
)
Typ i c a l The r ma l R e s i s ta nc e ,J unc ti o n to A mb i e nt ( N o te 1 )
J unc ti o n to L e a d (N o te 2 )
Op e r a ti ng J unc ti o n Te mp e ra tur e a nd S to r a g e
Te mp e r a ture Ra ng e
S YMB OL
V
RRM
V
RM S
V
R
I
F (AV)
I
FS M
V
F
BX38F
80
56
80
B X 3 9 F B X 3 1 0 F B X 3 1 5 F B X 3 2 0 F UN ITS
90
63
90
100
70
100
3
80
0 .8
0 .9
150
105
150
200
140
200
V
V
V
A
A
V
I
R
50
A
C
J
R
J
A
R
J
L
T
J
,T
S TG
20
150
20
-5 5 to + 1 5 0
10
85
O
pF
C / W
O
C
NOTES :
1. Mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, mini pad.
2. Mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, with 48cm
2
copper pad area
April 30,2012-REV.00
PAGE . 1
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