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EN25B16T-100VIP

产品描述Flash Memory,
产品类别存储    存储   
文件大小474KB,共37页
制造商台湾晶豪(ESMT)
官网地址http://www.esmt.com.tw/
晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司,于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务,并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。
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EN25B16T-100VIP概述

Flash Memory,

EN25B16T-100VIP规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

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EN25B16
EN25B16
16 Mbit Serial Flash Memory with Boot and Parameter Sectors
FEATURES
Single power supply operation
- Full voltage range: 2.7-3.6 volt
16 M-bit Serial Flash
- 16 M-bit/2048 K-byte/8192 pages
- 256 bytes per programmable page
High performance
- 100MHz clock rate
Low power consumption
- 5 mA typical active current
- 1
μA
typical power down current
Flexible Sector Architecture:
- Two 4-Kbyte, one 8-Kbyte, one 16-Kbyte,one
32-Kbyte, and thirty one 64-Kbyte sectors
Software and Hardware Write Protection:
- Write Protect all or portion of memory via
software
- Enable/Disable protection with WP# pin
-
-
-
-
High performance program/erase speed
Byte program time: 7µs typical
Page program time: 1.5ms typical
Sector erase time: 300 to 800ms typical
Chip erase time: 18 Seconds typical
Minimum 100K endurance cycle
Package Options
- 8 pins SOP 200mil body width
- 8 contact VDFN
- 8 pins PDIP
- 16 pin SOP 300mil body width
- All Pb-free packages are RoHS compliant
Commercial and industrial temperature
Range
GENERAL DESCRIPTION
The EN25B16 is a 16M-bit (2048K-byte) Serial Flash memory, with advanced write protection
mechanisms, accessed by a high speed SPI-compatible bus. The memory can be programmed 1 to
256 bytes at a time, using the Page Program instruction.
The EN25B16 has thirty six sectors including thirty one sectors of 64KB, one sector of 32KB, one sector
of 16KB, one sector of 8KB and two sectors of 4KB. This device is designed to allow either single Sector
at a time or full chip erase operation. The EN25B16 can protect boot code stored in the small sectors for
either bottom or top boot configurations. The device can sustain a minimum of 100K program/erase cycles
on each sector.
This Data Sheet may be revised by subsequent versions
1
or modifications due to changes in technical specifications.
©2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw
Rev. E, Issue Date: 2007/06/07
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