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MBR16200CT_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小97KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR16200CT_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

MBR16200CT_00001规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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MBR1640CT~MBR16200CT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
40 to 200 Volts
CURRENT
16 Amperes
MECHANICAL DATA
• Case: TO-220AB molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RAME TE R
Maxi mum Re curre nt P eak Re verse Voltag e
Maxi mum RMS Volta ge
Maxi mum D C B lo cki ng Voltag e
Maxi mum Ave ra ge Fo rward (Se e Fi g ure 1)
P eak Forward Surge C urrent : 8 .3ms si ngle half si ne-wa ve
sup erimp osed o n rate d lo ad (JED E C me thod )
Maxi mum Forwa rd Volta ge a t 8A pe r leg
Maxi mum D C Reve rse C urre nt a t Rate d D C Blo cki ng
Voltag
Typ i cal Thermal Resistance
Op erati ng Juncti on and S torage Tempe ra ture Range
T
J
=25
O
C
T
J
=10 0
O
C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
F SM
V
F
I
R
R
θJC
T
J
,T
STG
MB R1640CT MB R1645CT MBR1650C T MBR1660C T MB R1680CT MB R1690C T MBR16100C T MBR16150C T MB R16200CT
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
16
1 50
90
63
90
1 00
70
1 00
150
105
150
20 0
140
20 0
0.7
0.75
0.05
20
2
0.8
0.9
V
mA
O
C /W
O
-55 to +150
-65 to +175
C
NOTES:Both Bonding and Chip structure are available.
December 21,2012-REV.02
PAGE . 1
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