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MBR8200D_R2_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小120KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR8200D_R2_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2

MBR8200D_R2_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明TO-263, D2PAK-3/2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流50 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

MBR8200D_R2_10001文档预览

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MBR840D~MBR8200D
D
2
PAK SURFACE MOUNTSCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltge, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
40 to 200 Volts
CURRENT
8 Ampere
MECHANICALDATA
• Case: TO-263/D
2
PAK molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0514 ounces, 1.46 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d ( S e e F i g ur e 1 )
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 8 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J C
T
J
, T
S TG
MB R8 4 0 D
MB R8 4 5 D MB R8 5 0 D MB R8 6 0 D MB R8 8 0 D MB R8 9 0 D MB R8 1 0 0 D MB R8 1 5 0 D MB R8 2 0 0 D
U N IT S
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
8
150
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0 .7 0
0 .7 5
0 .0 5
20
3
0 .8 0
0.90
V
mA
O
C / W
O
-5 5 to +1 5 0
-65 to +175
C
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-APR.30.2009
PAGE . 1
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