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MBR640_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AC,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小123KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR640_T0_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AC,

MBR640_T0_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MBR640~MBR6200
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
40 to 200 Volts
CURRENT
6 Ampers
MECHANICAL DATA
• Case: TO-220AC full molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re curre nt P e a k Re ve rse Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo cki ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o r wa r d C urre nt ( S e e F i g ure 1 )
P e a k F o rwa rd S urg e C ur re nt : 8 . 3 ms s i ng le ha lf s i ne -wa ve
sup e ri mp o se d o n r a te d lo a d (JE D E C m e tho d )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 6 A p e r le g
Ma xi mum D C Re ve rse C urrent at Ra te d D C B locki ng T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
Vo lta g e
Typ i ca l The rma l Re s i sta nce
Op e ra ti ng Juncti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
J
C
T
J
,T
S TG
MB R6 4 0
MB R6 4 5 MB R6 5 0 MB R66 0 MB R68 0 MB R69 0
MB R6 10 0
MB R61 5 0
MB R6 2 00
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
6
75
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0 .7
0 .7 5
0 .0 5
20
3
0 .8
0 .9
V
mA
O
C / W
O
-55 to +1 5 0
-65 to +175
C
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.
January 18,2013-REV.02
PAGE . 1
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