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PJSD05MLTMT/R7

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 90W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小74KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSD05MLTMT/R7概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 90W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

PJSD05MLTMT/R7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压6.2 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散90 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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PJSD05MLTM
ESD PROTECTION DIODES
The PJSD05MLTM is designed to protect voltage sensitive components from ESD.
Excellent clamping capability,low leakage,and fast response time provide best in class protection on designs
that are exposed to ESD.
VOLTAGE
5 Volts
POWER
90 Watts
SO D -9 2 3
FEATURES
• Low leakage
0.034(0.85)
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
• IEC61000-4-2 Level 4 ESD Protection
0.026(0.65)
0.021(0.55)
0.029(0.75)
• IEC61000-4-4 Level 4 EFT Protection 80A (t
p
=5/50ns)
0.010(0.25)
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-923, Molded Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band cathode
0.042(1.05)
0.037(0.95)
0.005(0.15)
0.018(0.45)
0.013(0.35)
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS
Rating
P e a k P o we r D i s s i p a ti o n 8 /2 0 P uls e
L e a d S o ld e r Te mp e r a tur e -M a xi mum ( 1 0 S e c o nd D ura ti o n)
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to r a g e Te mp e ra tur e Ra ng e
Symbol
P
PM
T
L
T
J
,T
S TG
Value
90
260
-55 to +150
Units
W
o
0.007(0.18)
0.003(0.08)
C
C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
o
C UNLESS OTHERWISE NOTED, V
F
=0.9V Max.@I
F
=10mA )
V
BR
(V)I
T
(Note 1)
Mi n
6.2
V
C
(V)@M
AX
I
PP +
Device
V
RWM
(V)
Ma x
I
R
(μA)@V
RWM
Ma x
1.0
I
T
mA
1.0
I
PP
(A)
+
Ma x
9
P
PK
(W)
+
Max
90
C
J
(pF)
Typ
65
Marking
Code
R
Ma x
10
PJSD05MLTM
5.0
NOTES:
*Other voltages available upon request
1.V
BR
is measured with a pulse test current I
T
at an ambient temperature of 25
o
C
August 20.2010-REV.01
PAGE . 1
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